Popravek procesa maske (MPC) je dobro uveljavljen kot nujen korak pri pripravi podatkov o maskah (MDP) za izdelavo mask elektronskih žarkov na naprednih tehnoloških vozliščih od 14 nm in več. MPC običajno uporablja model razprševanja elektronov za predstavitev izpostavljenosti e-žarku in procesni model za predstavitev učinkov razvoja in jedkanja procesa. Modeli se uporabljajo za iterativno simulacijo položaja robov postavitve in premikanje robnih segmentov, da se poveča natančnost položaja roba dokončane maske. Selektivno dodeljevanje odmerka se lahko uporablja v povezavi z gibanjem robov, da hkrati povečate natančnost procesnega okna in položaja robov.
Metodologija MPC za kalibracijo modela in korekcijo postavitve je bila razvita in optimizirana za pisce mask v obliki vektorskega snopa (VSB), ki predstavljajo prevladujočo tehnologijo litografije mask, ki se danes uporablja za napredno izdelavo mask. Pred kratkim so bili predstavljeni pisatelji mask z več žarki (MBMW), ki se zdaj začenjajo uporabljati pri proizvodnji fotomask v količini.
Ta nova orodja temeljijo na množično vzporednih arhitekturah rastrskega skeniranja, ki bistveno zmanjšajo odvisnost časa pisanja od zapletenosti postavitve in naj bi povečale in sčasoma nadomestile tehnologijo VSB za napredne maske vozlišč, saj kompleksnost postavitve še naprej narašča [5] [6].
Čeprav se pričakuje, da je mogoče obstoječe metode MPC, razvite za litografijo VSB, enostavno prilagoditi MBMW, je potreben strog pregled popravljanja napak maske za MBMW za popolno potrditev uporabnosti trenutnih orodij in metod ter za identifikacijo morebitnih sprememb, ki bodo morda potrebne za doseganje želene zmogljivosti CD MBMW. V tem prispevku bomo predstavili rezultate takšne študije in potrdili pripravljenost MPC za litografijo z več žarki mask.
