Skip to main content
Ta stran je prikazana z avtomatskim prevajanjem. Namesto tega glej v angleščini?
Tehnični dokument

Možnosti EUV s polnim čipom za logično in kovinsko vzorčenje

Ustvarjanje krivolinijskih mask EUV s polnim čipom ponuja maksimalno procesno okno, vendar tehnologija, uporabljena za izdelavo teh mask, ostaja prepočasna za proizvodnjo logike s polnim čipom. Pregledamo več alternativnih pristopov k uporabi samo tehnologije inverzne litografije (ILT), ki ponujajo od 4x do več kot 100-krat hitrejši čas izvajanja z zelo podobnimi litografskimi meritvami.

Kaj se boste naučili:

  • Zakaj tehnologija inverzne litografije (ILT) ni praktična za ustvarjanje krivuljnih mask s polnim čipom EUV.
  • Kateri alternativni pristopi obstajajo s hitrejšim izvajanjem, ki dosežejo tudi največje procesno okno.
  • Kako izdelati krivolinijske izhodne maske z med 4x in več kot 100x hitrejšim časom izvajanja.
Zdravnik v belem plašču, ki pregleduje bolnikovo grlo z jezikovnim depresorjem
Predstavljene zmogljivosti

Funkcije EUV z visoko vsebnostjo NA za doseganje ločljivosti naslednjega vozlišča

Calibre EUV OPC modeliranje in večvzorčno oblikovanje ponujata celovito podporo pri reševanju edinstvenih izzivov EUV z visoko vsebnostjo RNA, kot je anamorfna optika (za optimizacijo virov, modeliranje, povečavo, MRC in šivanje na terenu) in 3D modeliranje mask za upoštevanje učinkov senčenja za EUV z visoko RNA.

Raziščite vire in sorodne izdelke

Calibre EUV pogosto zastavljena vprašanja