Simcenter Micred T3STER je pokročilý nedeštruktívny prechodný tepelný tester na tepelnú charakterizáciu balených polovodičových zariadení (diódy, BJT, výkonové MOSFET, IGBT, výkonové LED diódy) a viacvrstvových zariadení. Meria skutočnú tepelnú prechodnú odozvu efektívnejšie ako metódy v ustálenom stave. Merania sú na ± 0,01° C s časovým rozlíšením až 1 mikrosekundy. Funkcie štruktúry po spracovaní odozvy do grafu, ktorý ukazuje tepelný odpor a kapacitu prvkov balíka pozdĺž dráhy toku tepla. Simcenter Micred T3STER je ideálny nástroj na detekciu zlyhania pred a po strese. Merania je možné exportovať na kalibráciu tepelného modelu, čo podporuje presnosť tepelného konštrukčného úsilia.
Umožnite rýchlejšie výsledky iba jedným testomSimcenter Micred T3STER je ľahko použiteľný a rýchly. Poskytuje plne reprodukovateľné výsledky, takže každý test sa musí vykonať iba raz. Simcenter Micred T3STER testuje balené integrované obvody pomocou iba elektrických pripojení na napájanie a snímanie, čo poskytuje rýchle a opakovateľné výsledky a eliminuje potrebu viacerých testov na tej istej časti. Komponenty je možné testovať in situ a výsledky testov môžu byť použité ako kompaktný tepelný model alebo na kalibráciu podrobného modelu.
Otestujte všetky typy balených polovodičovJe možné testovať prakticky všetky typy balených polovodičov, od výkonových diód a tranzistorov až po veľké a vysoko zložité digitálne integrované obvody vrátane častí, ktoré sú namontované na doske a dokonca zabalené do výrobku.
Jednoducho povedané, do komponentu sa vstrekuje výkonový impulz a jeho teplotná odozva sa zaznamenáva veľmi presne proti času. Samotný polovodič sa používa na napájanie dielu aj na snímanie teplotnej odozvy pomocou parametra citlivého na teplotu na povrchu matrice, ako je tranzistor alebo diódová štruktúra.
prístup k spoľahlivému softvéruSoftvér dodávaný so Simcenter Micred T3STER poskytuje veľkú hodnotu riešenia. Je to preto, že softvér Simcenter Micred T3STER dokáže merať sledovanie teploty verzus čas a previesť ju na takzvanú štruktúrnu funkciu. V tomto grafe je možné zistiť diskrétne vlastnosti balenia, ako napríklad nástavec matrice, vďaka čomu je Simcenter Micred T3STER vynikajúcim diagnostickým nástrojom pri vývoji produktu. Graf môže byť tiež použitý na kalibráciu podrobného 3D tepelného modelu v Simcenter Flotherm, čím sa vytvorí tepelný model čipového balíka, ktorý predpovedá teplotu v priestore aj čase s presnosťou 99+%.
Dosiahnite vyššiu presnosť v simulácii chladenia elektroniky pomocou merania a kalibrácie
Táto biela kniha berie do úvahy faktory pre vyššiu presnosť pri modelovaní stopy a odvodu tepla spojenia v rámci simulácie. Ilustruje tepelné meranie modulu IGBT pomocou Simcenter T3STER a kalibráciu modelu v spojení s tepelnou simuláciou v Simcenter Flotherm.
