Korekcia procesu masky (MPC) je dobre zavedená ako nevyhnutný krok v príprave údajov o maskách (MDP) pre výrobu masiek elektrónových lúčov v pokročilých technologických uzloch od 14 nm a viac. MPC zvyčajne používa model rozptylu elektrónov na reprezentáciu expozície elektronického lúča a procesný model na reprezentáciu efektov vývoja a leptania procesu. Modely sa používajú na iteračnú simuláciu polohy hrán prvkov rozloženia a pohyb segmentov okrajov, aby sa maximalizovala presnosť polohy okraja dokončenej masky. Selektívne priradenie dávky sa môže použiť v spojení s pohybom hrán na súčasné maximalizovanie presnosti procesného okna a polohy okraja.
Metodika MPC pre kalibráciu modelu a korekciu rozloženia bola vyvinutá a optimalizovaná pre spisovače masiek v tvare vektorového lúča (VSB), ktoré predstavujú dominantnú technológiu litografie masiek, ktorá sa dnes používa na pokročilú výrobu masiek. Spisovače viacerých lúčových masiek (MBMW) boli nedávno predstavené a teraz sa začínajú používať pri výrobe objemových fotomaskov.
Tieto nové nástroje sú založené na architektúrach masívneho paralelného rastrového skenovania, ktoré výrazne znižujú závislosť času zápisu od zložitosti rozloženia a očakáva sa, že rozšíria a nakoniec nahradia technológiu VSB za pokročilé masky uzlov, pretože zložitosť rozloženia neustále rastie [5] [6].
Aj keď sa očakáva, že existujúce metódy MPC vyvinuté pre litografiu VSB je možné ľahko prispôsobiť MBMW, na úplné potvrdenie použiteľnosti súčasných nástrojov a metód a na identifikáciu akýchkoľvek úprav, ktoré môžu byť potrebné na dosiahnutie požadovaného výkonu CD MBMW, je potrebné dôsledné preskúmanie korekcie chýb masky MBMW. V tomto príspevku predstavíme výsledky takejto štúdie a potvrdíme pripravenosť MPC na litografiu viaclúčových masiek.
