Spoločnosť Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) bola priekopníkom obchodného modelu zlievarenskej čistej hry. Kľúčom k úspechu spoločnosti TSMC bolo vždy zameranie sa na úspech zákazníkov tým, že sa rozhodnete nenavrhnúť, vyrábať ani uvádzať na trh žiadne polovodičové produkty pod vlastným menom. Polovodiče vyrobené TSMC slúžia globálnej zákazníckej základni, ktorá je veľká a rôznorodá, so širokou škálou aplikácií používaných na rôznych koncových trhoch vrátane smartfónov, vysokovýkonných výpočtových počítačov, internetu vecí (IoT), automobilového priemyslu a digitálnej spotrebnej elektroniky.
TSMC
Alliance TSMC EDA znižuje konštrukčné bariéry pri prijímaní procesných technológií TSMC zákazníkom. Ako partner EDA Alliance Siemens EDA úzko spolupracuje s tímami dizajnérskych technológií TSMC na riešení vzájomných potrieb zákazníckeho dizajnu prostredníctvom umožnenia nových funkcií nástroja EDA, ktoré sú v súlade s pokročilým plánom vývoja procesov TSMC, ako aj implementáciou metodiky návrhu TSMC do referenčných tokov. Prostredníctvom tejto spolupráce umožňujú TSMC a Siemens EDA vzájomným zákazníkom lepšie dosiahnuť svoj cieľ PPA v kratšom časovom období.
Alliance TSMC EDA
Tabuľka pokrytia TSMC
Portfólio IC Siemens EDA | Fyzické overenie | Dvojité/viacvzorové | Zodpovedanie vzorov | LVS | Parazitná extrakcia | PERCE | Integrita výkonu a EM | Vyplnenie¹ | Custom Design | Miesto a trasa | Simulácia obvodu |
14 Trieda Angstrom (A14) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTIERAŤ | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
16 Angstrom trieda (A16) | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | | | ✔ |
2nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTIERAŤ | ✔ | | UTIERAŤ | ✔ |
3 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
4 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
5 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ |
7 nm/6 nm | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | UTIERAŤ | ✔ | ✔ |
16 nm/12 nm | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
28 nm/22 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
45 nm/40 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
65 nm/55 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | ✔ | ✔ | ● | ✔ |
90 nm | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
0,13um/ 0,11um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
> = 0,18um | ✔ | | | ✔ | ✔ | | | | ✔ | ● | ✔ |
✔: certifikované; WIP: prebiehajúce práce (od januára 2026)
[1]: Calibre SmartFill je POR (plán záznamu) pod 20 nm a Dummy Fill nad 20 nm.
●: Technické súbory by poskytovala spoločnosť Siemens pre tie procesné uzly, ktoré ešte nie sú certifikované. Pre vaše požiadavky kontaktujte produktový tím Aprisa.
Certifikácia pracovných postupov IC Packaging
Naša neustála spolupráca s TSMC úspešne vyústila do automatizovanej certifikácie pracovných postupov pre ich integračnú technológiu InFO, ktorá je súčasťou 3DFabric platformu. Pre vzájomných zákazníkov táto certifikácia umožňuje vývoj inovatívnych a vysoko diferencovaných koncových produktov pomocou najlepšieho softvéru EDA vo svojej triede a špičkových pokročilých technológií na integráciu obalov.
Naše automatizované pracovné postupy dizajnu Info_OS a Info_pop sú teraz certifikovaný TSMC. Tieto pracovné postupy zahŕňajú Innovator3D IC, HyperLynx DRC, a Calibre nmDRC technológie.
Integrovaný ventilátor (InFO)
Ako definuje spoločnosť TSMC, InFO je inovatívna technologická platforma na integráciu systémov na úrovni platní, ktorá obsahuje RDL s vysokou hustotou (Re-Distribution Layer) a TIV (Through InFO Via) pre prepojenie s vysokou hustotou a výkon pre rôzne aplikácie, ako sú mobilné zariadenia, vysokovýkonné počítače atď. Platforma InFO ponúka rôzne schémy balíkov v 2D a 3D, ktoré sú optimalizované pre konkrétne aplikácie.
Info_OS využíva technológiu InFO a ponúka väčšiu hustotu 2/2µm šírky/priestoru RDL linky na integráciu viacerých pokročilých logických čipletov pre sieťovú aplikáciu 5G. Umožňuje hybridné rozstupy podložky na SoC s minimálnym rozstupom I/O 40 µm, minimálnym rozstupom nárazov C4 Cu 130 µm a > 2X veľkosťou siete InFO na substrátoch > 65 x 65 mm.
Info_pop, prvý balík ventilátorov na úrovni 3D doštičiek v tomto odvetví, obsahuje RDL a TIV s vysokou hustotou na integráciu mobilného AP so stohovaním balíkov DRAM pre mobilné aplikácie. V porovnaní s FC_POP má Info_pop tenší profil a lepšie elektrické a tepelné výkony kvôli žiadnemu organickému substrátu a nárazu C4.
Čip na oblátke na substráte (CoWoS)
Integruje logiku a pamäť do 3D zacielenia, AI a HPC. Innovator3D IC vytvára, optimalizuje a spravuje 3D model celej zostavy zariadení CowOS.
Oblátka na oblátke (WoW)
Innovator3D IC vytvára, optimalizuje a spravuje 3D digitálny dvojitý model, ktorý riadi podrobný dizajn a overenie.
Systém na integrovaných čipoch (SOiC)
Innovator3D IC optimalizuje a spravuje 3D digitálny dvojitý model, ktorý riadi dizajn a následné overenie pomocou technológií Calibre.