Skip to main content
Эта страница переведена автоматически. Перейти к английской версии?

Почему именно Simcenter Micred T3STER?

Simcenter Micred T3STER — это усовершенствованный неразрушающий переходный термотестер для определения тепловых характеристик упакованных полупроводниковых устройств (диодов, BJT, силовых МОП-транзисторов, IGBT, силовых светодиодов) и многокристальных устройств. Он измеряет истинную тепловую переходную характеристику более эффективно, чем стационарные методы. Измерения проводятся до ±0,01 °C с временным разрешением до 1 микросекунды. Структурные функции затем обрабатывают ответ в виде графика, показывающего тепловое сопротивление и емкость элементов упаковки на пути теплового потока. Simcenter Micred T3STER — идеальный инструмент для обнаружения отказов до и после стресса. Измерения можно экспортировать для калибровки тепловой модели, что обеспечивает точность теплового проектирования.

Обеспечьте более быстрые результаты с помощью всего одного тестаSimcenter Micred T3STER прост в использовании и быстр. Он дает полностью воспроизводимые результаты, поэтому каждый тест нужно проводить только один раз. Simcenter Micred T3STER тестирует упакованные микросхемы, использующие только электрические соединения для питания и измерения, что дает быстрые и воспроизводимые результаты и устраняет необходимость в проведении нескольких тестов одной и той же детали. Компоненты можно тестировать на месте, а результаты испытаний можно использовать в качестве компактной тепловой модели или для калибровки детальной модели.

Проверьте все типы упакованных полупроводниковМожно тестировать практически все типы упакованных полупроводников, от силовых диодов и транзисторов до больших и очень сложных цифровых микросхем, включая детали, установленные на плате и даже упакованные в продукт.

Проще говоря, в компонент впрыскивается импульс мощности, и его температурный отклик регистрируется очень точно в зависимости от времени. Сам полупроводник используется как для питания детали, так и для определения температурного отклика с использованием чувствительного к температуре параметра на поверхности кристалла, такого как транзистор или диодная структура.

Доступ к надежному программному обеспечениюПрограммное обеспечение, поставляемое с Simcenter Micred T3STER, во многом обеспечивает преимущества решения. Это связано с тем, что программное обеспечение Simcenter Micred T3STER может измерять зависимость температуры от времени и преобразовывать ее в так называемую структурную функцию. На этом графике можно обнаружить отдельные особенности упаковки, такие как матричное крепление, что делает Simcenter Micred T3STER отличным диагностическим инструментом при разработке продуктов. Этот график также можно использовать для калибровки подробной трехмерной тепловой модели в Simcenter Flotherm, создав тепловую модель пакета микросхем, который предсказывает температуру в пространстве и времени с точностью 99+%.

Достигните более высокой точности моделирования охлаждения электроники с помощью измерений и калибровки

В этом техническом описании рассматриваются факторы, влияющие на повышение точности моделирования тепловыделения трасс и соединений в ходе моделирования. В нем показано измерение температуры модуля IGBT с помощью Simcenter T3STER и калибровка модели в сочетании с тепловым моделированием в Simcenter Flotherm.

Возможности Simcenter T3STER

Термическое испытание

Семейство аппаратных решений для определения тепловых характеристик предоставляет поставщикам компонентов и систем возможность точно и эффективно тестировать, измерять и определять термические характеристики полупроводниковых интегральных микросхем, светодиодов с одной матрицей и матрицей, многослойных корпусов и корпусов с несколькими кристаллами, модулей силовой электроники, свойств термоинтерфейсного материала (TIM) и целых электронных систем.

Наши аппаратные решения напрямую измеряют фактические кривые нагрева или охлаждения упакованных полупроводниковых устройств непрерывно и в режиме реального времени, а не искусственно составляют их на основе результатов нескольких отдельных тестов. Измерение истинной тепловой переходной характеристики таким образом намного эффективнее и точнее, что позволяет получать более точные тепловые показатели по сравнению с стационарными методами. Измерения необходимо проводить только один раз на образец, а не повторять их и получать среднее значение, как при использовании стационарных методов.

Подробнее о термических испытаниях

Смотреть вебинар

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Информационный документ

Термическая характеристика сложной электроники

Прочтите этот информационный документ и узнайте о роли измерения тепловых переходных процессов в характеристике теплового поведения полупроводников.

Процессорный чип, подключенный к печатной плате