Skip to main content
Эта страница переведена автоматически. Перейти к английской версии?
Технический документ

Полночиповые опции EUV для логических интерфейсов и нанесения металлических узоров

Создание полночиповых криволинейных масок EUV обеспечивает максимальное технологическое время, но технология, используемая для изготовления этих масок, остается слишком медленной для производства полночиповых логических схем. Мы рассматриваем несколько альтернативных подходов к использованию только технологии обратной литографии (ILT), которая обеспечивает от 4 до 100 раз более быстрое время работы при очень схожих литографических показателях.

Что вы узнаете:

  • Почему технология обратной литографии (ILT) непрактична для создания полночиповых криволинейных масок EUV.
  • Какие существуют альтернативные подходы, предусматривающие более быстрое время выполнения и одновременно обеспечивающие максимальное окно процесса.
  • Как создавать маски с криволинейным выводом, сокращая время работы от 4 до 100 раз.
Врач в белом халате осматривает горло пациента с помощью языкового депрессора
Избранные возможности

Функции EUV с высоким разрешением NA для достижения разрешения следующего узла

Моделирование Calibre EUV OPC и создание нескольких паттернов обеспечивают комплексную поддержку в решении уникальных задач EUV с высоким содержанием NA, таких как анаморфная оптика (для оптимизации источников, моделирования, увеличения, MRC и сшивания полей) и 3D-моделирование масок для учета эффектов затенения для EUV с высоким содержанием NA.

Ознакомьтесь с ресурсами и сопутствующими изделиями

Calibre EUV: часто задаваемые вопросы