Calibre 3D IC

Трехмерные интегральные схемы (трехмерные микросхемы) становятся революционным подходом к проектированию, производству и упаковке в полупроводниковой промышленности. Предлагая значительные преимущества в размерах, производительности, энергоэффективности и стоимости, трехмерные микросхемы готовы изменить мир электронных устройств. Однако трехмерные микросхемы создают новые проблемы проектирования и проверки, которые необходимо решить для обеспечения успешного внедрения.

Основная проблема заключается в том, чтобы активные микросхемы в сборке трехмерной микросхемы вели себя электрически так, как предполагалось. Дизайнеры должны начать с определения трехмерного стека, чтобы инструменты проектирования могли понять связность и геометрические интерфейсы всех компонентов сборки. Это определение также позволяет автоматизировать воздействие паразитных соединений на поперечные матрицы, закладывая основу для трехмерного анализа термических воздействий и напряжений.

В этом документе описываются ключевые проблемы и стратегии проектирования трехмерных микросхем. Мультифизические проблемы в трехмерных микросхемах, такие как комбинированное воздействие электрических, тепловых и механических явлений, более сложны, чем в 2D-проектах, а новые материалы, используемые в трехмерных микросхемах, приводят к непредсказуемому поведению, что требует обновленных методов проектирования, учитывающих вертикальное стекирование и межсоединения. Термический анализ особенно важен, поскольку накопление тепла может повлиять как на электрические характеристики, так и на механическую целостность, что отрицательно скажется на надежности. Внедрение стратегий смещения влево позволяет избежать дорогостоящих доработок за счет интеграции мультифизического анализа на ранних этапах проектирования, а итеративное проектирование позволяет уточнять решения по мере поступления более точных данных. Контент предназначен для разработчиков микросхем, работающих над микросхемами или трехмерными микросхемами, разработчиков пакетов, создающих усовершенствованные многокристальные пакеты, и всех, кто интересуется последними достижениями в технологии трехмерных микросхем.