Skip to main content
Această pagină este afișată prin traducere automată. Vizualizați în schimb în limba engleză?

De ce Simcenter Micred T3STER?

Simcenter Micred T3STER este un tester termic tranzitoriu avansat nedistructiv pentru caracterizarea termică a dispozitivelor semiconductoare ambalate (diode, BJT, MOSFET-uri de putere, IGBT, LED-uri de putere) și dispozitive multi-die. Măsoară adevăratul răspuns tranzitoriu termic mai eficient decât metodele în stare de echilibru. Măsurătorile sunt de ± 0,01° C cu o rezoluție de timp de până la 1 microsecundă. Funcțiile de structură post-procesează răspunsul într-un grafic care arată rezistența termică și capacitatea caracteristicilor pachetului de-a lungul căii fluxului de căldură. Simcenter Micred T3STER este un instrument ideal de detectare a defecțiunilor pre și post-stres. Măsurătorile pot fi exportate pentru calibrarea modelului termic, susținând acuratețea efortului de proiectare termică.

Permiteți rezultate mai rapide cu un singur testSimcenter Micred T3STER este ușor de utilizat și rapid. Produce rezultate complet reproductibile, astfel încât fiecare test trebuie efectuat o singură dată. Simcenter Micred T3STER testează circuitele integrate ambalate folosind doar conexiuni electrice pentru alimentare și detectare, oferind rezultate rapide, repetabile și eliminând necesitatea mai multor teste pe aceeași parte. Componentele pot fi testate in situ, iar rezultatele testelor pot fi utilizate ca model termic compact sau pentru calibrarea unui model detaliat.

Testați toate tipurile de semiconductori ambalațiPractic, toate tipurile de semiconductori ambalați pot fi testate, de la diode de putere și tranzistoare la circuite integrate digitale mari și extrem de complexe, inclusiv piese care sunt montate pe o placă și chiar ambalate într-un produs.

Pur și simplu, un impuls de putere este injectat în componentă și răspunsul său la temperatură este înregistrat foarte precis în timp. Semiconductorul în sine este utilizat atât pentru alimentarea piesei, cât și pentru a simți răspunsul la temperatură folosind un parametru sensibil la temperatură pe suprafața matriței, cum ar fi un tranzistor sau o structură de diode.

Accesați software fiabilSoftware-ul furnizat cu Simcenter Micred T3STER oferă o mare parte din valoarea soluției. Acest lucru se datorează faptului că software-ul Simcenter Micred T3STER poate lua urmele de temperatură versus timp și îl poate converti în ceea ce este cunoscut sub numele de funcție de structură. Caracteristicile discrete ale pachetului, cum ar fi atașamentul matriței pot fi detectate în acest grafic, ceea ce face din Simcenter Micred T3STER un instrument excelent de diagnosticare în dezvoltarea produselor. Graficul poate fi, de asemenea, utilizat pentru a calibra un model termic 3D detaliat în Simcenter Flotherm, creând un model termic al unui pachet de cipuri care prezice temperatura atât în spațiu, cât și în timp cu o precizie de 99+%.

Obțineți o precizie mai mare în simularea răcirii electronice cu măsurare și calibrare

Această carte albă ia în considerare factorii pentru o precizie mai mare pentru modelarea urmăririi și disiparea căldurii de conectare în cadrul simulării. Acesta ilustrează măsurarea termică a unui modul IGBT folosind Simcenter T3STER și calibrarea modelului împreună cu simularea termică în Simcenter Flotherm.

Capacități Simcenter T3STER

Testarea termică

Familia de soluții hardware de caracterizare termică oferă furnizorilor de componente și sisteme capacitatea de a testa, măsura și caracteriza termic cu precizie și eficiență pachetele de circuite integrate semiconductoare, LED-uri simple și matrice, pachete stivuite și multi-matrițe, module electronice de putere, proprietăți ale materialului de interfață termică (TIM) și sisteme electronice complete.

Soluțiile noastre hardware măsoară direct curbele reale de încălzire sau răcire ale dispozitivelor semiconductoare ambalate continuu și în timp real, mai degrabă decât să le compună artificial din rezultatele mai multor teste individuale. Măsurarea adevăratului răspuns termic tranzitoriu în acest mod este mult mai eficientă și mai precisă, ducând la valori termice mai precise decât metodele în stare de echilibru. Măsurătorile trebuie efectuate o singură dată pe eșantion, mai degrabă decât repetate și se ia o medie ca în cazul metodelor la starea de echilibru.

Citiți mai multe despre testarea termică

Urmăriți webinarul

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Raport

Caracterizarea termică a electronicii complexe

Citiți această carte albă și aflați despre rolul măsurării tranzitorii termice în caracterizarea comportamentului termic al semiconductorilor.

Un cip de procesare conectat la o placă circulară