Skip to main content
Esta página é apresentada utilizando tradução automática. Prefere ver em inglês?

Porquê o Simcenter Micred T3STER?

O Simcenter Micred T3STER é um avançado testador térmico transiente não destrutivo para a caracterização térmica de dispositivos semicondutores embalados (diodos, BJTs, MOSFETs de potência, IGBTs, LEDs de potência) e dispositivos multi-matriz. Mede a verdadeira resposta térmica transiente de forma mais eficiente do que os métodos de estado estacionário. As medições são de ± 0,01° C com resolução de tempo de até 1 microssegundo. As funções de estrutura pós-processam a resposta num gráfico que mostra a resistência térmica e capacitância das características do pacote ao longo do caminho do fluxo de calor. O Simcenter Micred T3STER é uma ferramenta ideal para detecção de falhas pré e pós-stress. As medições podem ser exportadas para calibração do modelo térmico, sustentando a precisão do esforço de projeto térmico.

Permita resultados mais rápidos com apenas um testeO Simcenter Micred T3STER é fácil de usar e rápido. Produz resultados totalmente reprodutíveis, pelo que cada ensaio só precisa de ser realizado uma vez. O Simcenter Micred T3STER testa ICs empacotados usando apenas conexões elétricas para alimentação e detecção, fornecendo resultados rápidos e repetíveis e eliminando a necessidade de vários testes na mesma peça. Os componentes podem ser testados in situ e os resultados do teste podem ser usados como um modelo térmico compacto ou para calibrar um modelo detalhado.

Ensaio de todo o tipo de semicondutores embaladosPraticamente todos os tipos de semicondutores embalados podem ser testados, desde diodos de potência e transistores até CIs digitais grandes e altamente complexos, incluindo peças que são montadas numa placa e até embaladas num produto.

Simplificando, um pulso de energia é injetado no componente e a sua resposta à temperatura é registada com muita precisão em relação ao tempo. O semicondutor em si é utilizado tanto para alimentar a peça como para detectar a resposta à temperatura utilizando um parâmetro sensível à temperatura na superfície da matriz, tal como uma estrutura de transistor ou diodo.

Aceda a software fiávelO software fornecido com Simcenter Micred T3STER fornece muito do valor da solução. Isso porque o software Simcenter Micred T3STER pode pegar o traço de temperatura versus tempo e convertê-lo no que é conhecido como função de estrutura. Características discretas da embalagem, como a fixação da matriz, podem ser detectadas neste gráfico, tornando o Simcenter Micred T3STER uma excelente ferramenta de diagnóstico no desenvolvimento de produtos. O gráfico também pode ser usado para calibrar um modelo térmico 3D detalhado no Simcenter Flotherm, criando um modelo térmico de um pacote de chips que prevê a temperatura no espaço e no tempo com 99+% de precisão.

Alcançar maior precisão na simulação de arrefecimento eletrónico com medição e calibração

Este whitepaper considera fatores para maior precisão na modelagem de traços e dissipação de calor de conexão dentro da simulação. Ilustra a medição térmica de um módulo IGBT utilizando Simcenter T3STER e calibração do modelo em conjunto com simulação térmica no Simcenter Flotherm.

Capacidades do Simcenter T3STER

Testes térmicos

A família de soluções de hardware de caracterização térmica fornece aos fornecedores de componentes e sistemas a capacidade de testar, medir e caracterizar termicamente pacotes de circuitos integrados de semicondutores, LEDs simples e arrays, pacotes empilhados e multi-matrizes, módulos de eletrónica de potência, propriedades do material de interface térmica (TIM) e sistemas eletrónicos completos.

As nossas soluções de hardware medem diretamente as curvas reais de aquecimento ou arrefecimento de dispositivos semicondutores embalados continuamente e em tempo real, em vez de compor isso artificialmente a partir dos resultados de vários testes individuais. Medir a verdadeira resposta térmica transiente desta forma é muito mais eficiente e preciso, levando a métricas térmicas mais precisas do que os métodos de estado estacionário. As medições só precisam ser efectuadas uma vez por amostra, em vez de repetidas e uma média obtida como nos métodos de estado estacionário.

Ler mais acerca de testes térmicos

Assista ao webinar

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Documento técnico

Caracterização térmica da electrónica complexa

Leia este white paper e aprenda sobre o papel da medição de transientes térmicos para caracterizar o comportamento térmico de semicondutores.

Um chip de processamento ligado a uma placa de circuito