A Correção do Processo de Máscara (MPC) está bem estabelecida como uma etapa necessária na preparação de dados da máscara (MDP) para a fabricação de máscaras de feixe de elétrons em nós de tecnologia avançada a partir de 14nm e além. O MPC utiliza tipicamente um modelo de dispersão de electrões para representar a exposição do feixe eletrónico e um modelo de processo para representar os efeitos do processo de desenvolvimento e de gravura. Os modelos são utilizados para simular iterativamente a posição das bordas da característica de layout e mover segmentos de borda para maximizar a precisão da posição da borda da máscara concluída. A atribuição selectiva da dose pode ser usada em conjunto com o movimento da borda para maximizar simultaneamente a precisão da janela do processo e da posição da borda.
A metodologia MPC para calibração de modelos e correção de layout foi desenvolvida e otimizada para os gravadores de máscaras de feixe em forma de vetor (VSB) que representam a tecnologia de litografia de máscara dominante em uso hoje para o fabrico avançado de máscaras. Os gravadores de máscara multi-feixe (MBMW) foram recentemente introduzidos e estão agora a começar a ser utilizados na produção de fotomáscaras em volume.
Estas novas ferramentas baseiam-se em arquiteturas de varredura raster massivamente paralelas que reduzem significativamente a dependência do tempo de gravação na complexidade do layout e espera-se que aumentem e eventualmente substituam a tecnologia VSB por máscaras de nós avançadas à medida que a complexidade do layout continua a crescer [5] [6].
Embora se espere que os métodos MPC existentes desenvolvidos para litografia VSB possam ser facilmente adaptados ao MBMW, é necessário um exame rigoroso da correção do erro da máscara para MBMW para confirmar totalmente a aplicabilidade das ferramentas e métodos atuais e identificar quaisquer modificações que possam ser necessárias para atingir o desempenho de CD desejado do MBMW. Neste artigo vamos apresentar os resultados de tal estudo e confirmar a disponibilidade do MPC para litografia de máscara multi-feixe.




