Gerar formas de máscara curvilíneas na correção óptica de proximidade (OPC) em vez de formas retangulares puras está a tornar-se cada vez mais realista como um método para melhorar o desempenho da litografia de wafer. O principal benefício do uso de formas curvilíneas é uma janela de processo melhorada, o que significa que a imagem da bolacha é menos sensível às condições de dose e foco durante a exposição. Com o aumento do poder de computação dos mais recentes clusters de alto desempenho e a disponibilidade de gravadores de máscara multi-feixe (MBMW), esses benefícios da litografia de wafer podem ser realizados nos nós de tecnologia atualmente em desenvolvimento.
Um desafio muito prático para colocar máscaras com formas curvilíneas em produção é a disponibilidade de verificações confiáveis das regras da máscara (MRC). O motor OPC não só precisa de gerar formas que sejam fabricáveis, mas a loja de máscaras também precisa de um método para verificar se os dados recebidos da máscara são fabricáveis. Para formas de máscara curvilíneas, isso é mais desafiador do que para formas de máscara retangulares, uma vez que verificações simples de largura e espaço já não são suficientes.
Neste artigo, discutimos um conjunto abrangente de limites MRC e demonstramos a eficácia de um motor MRC operando com dados de entrada curvilíneos. As Rules utilizadas aqui incluem a largura mínima das características expostas, o espaço mínimo entre as características expostas, a curvatura mínima das formas convexas e côncavas, bem como a área mínima de características expostas.
