A geração de formas curvilíneas de máscara na correção óptica de proximidade (OPC) em vez de formas retangulares puras está se tornando cada vez mais realista como um método para melhorar o desempenho da litografia em wafer. O principal benefício do uso de formas curvilíneas é uma janela de processo aprimorada, o que significa que a imagem do wafer é menos sensível às condições de dose e foco durante a exposição. Com o aumento da potência computacional dos mais recentes clusters de alto desempenho e a disponibilidade dos gravadores de máscaras de feixe múltiplo (MBMW), esses benefícios da litografia de pastilhas podem ser obtidos nos nós de tecnologia que estão sendo desenvolvidos atualmente.
Um desafio muito prático para colocar máscaras com formas curvilíneas na produção é a disponibilidade de verificações confiáveis de regras de máscara (MRC). O mecanismo OPC não precisa apenas gerar formas que possam ser fabricadas, mas a loja de máscaras também precisa de um método para verificar se os dados recebidos da máscara são fabricáveis. Para formas de máscara curvilíneas, isso é mais desafiador do que para formas de máscara retangulares, pois verificações simples de largura e espaço não são mais suficientes.
Neste artigo, discutimos um conjunto abrangente de limites de MRC e demonstramos a eficácia de um motor MRC operando com dados de entrada curvilíneos. As regras usadas aqui incluem largura mínima das características expostas, espaço mínimo entre as características expostas, curvatura mínima das formas convexas e côncavas, bem como área mínima das características expostas.
