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Artigo técnico

Opções EUV de chip completo para via lógica e padronização de metal

A geração de máscaras curvilíneas EUV de chip completo oferece uma janela máxima de processo, mas a tecnologia usada para produzir essas máscaras permanece muito lenta para a fabricação lógica de chip completo. Analisamos várias abordagens alternativas para usar apenas a tecnologia de litografia inversa (ILT) que oferecem um tempo de execução de 4 a 100 vezes mais rápido com métricas litográficas muito semelhantes.

O que você aprenderá:

  • Por que a tecnologia de litografia inversa (ILT) não é prática para a geração de máscaras curvilíneas EUV de chip completo.
  • Quais abordagens alternativas existem com um tempo de execução mais rápido que também atingem a janela máxima do processo.
  • Como produzir máscaras de saída curvilíneas com tempo de execução entre 4x e 100x mais rápido.
Médico de jaleco branco examinando a garganta do paciente com depressor de língua
Destaque das funcionalidades

Recursos EUV de alto NA para alcançar a resolução do próximo nó

A modelagem OPC e a multipadronização de calibre EUV oferecem suporte abrangente para abordar os desafios exclusivos do EUV com alto teor de NA, como óptica anamórfica (para otimização de fonte, modelagem, ampliação, MRC e costura de campo) e modelagem 3D de máscara para considerar os efeitos de sombreamento de EUV com alto teor de NA.

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Perguntas frequentes sobre o Calibre EUV