Skip to main content
Ta strona jest wyświetlana przy użyciu automatycznego translatora. Czy chcesz wyświetlić ją w języku angielskim?

Dlaczego Simcenter Micred T3STER?

Simcenter Micred T3STER to zaawansowany nieniszczący przejściowy tester termiczny do charakterystyki termicznej opakowanych urządzeń półprzewodnikowych (diody, BJT, MOSFET mocy, IGBT, diody mocy) i urządzeń wielofunkcyjnych. Mierzy prawdziwą reakcję przejściową termiczną skuteczniej niż metody w stanie ustalonym. Pomiary są do ± 0,01° C z rozdzielczością czasową do 1 mikrosekundy. Funkcje struktury po przetworzeniu odpowiedzi na wykres, który pokazuje opór cieplny i pojemność elementów opakowania wzdłuż ścieżki przepływu ciepła. Simcenter Micred T3STER jest idealnym narzędziem do wykrywania awarii przed i po naprężeniu. Pomiary mogą być eksportowane do kalibracji modelu termicznego, co stanowi podstawę dokładności wysiłku projektowego termicznego.

Zapewnij szybsze wyniki za pomocą jednego testu
Simcenter Micred T3STER jest łatwy w użyciu i szybki. Daje w pełni powtarzalne wyniki, więc każdy test musi być przeprowadzony tylko raz. Simcenter Micred T3STER testuje pakowane układy scalone przy użyciu tylko połączeń elektrycznych do zasilania i wykrywania, dając szybkie, powtarzalne wyniki i eliminując potrzebę wielokrotnych testów na tej samej części. Komponenty mogą być testowane in situ, a wyniki testów mogą być wykorzystane jako kompaktowy model termiczny lub do kalibracji szczegółowego modelu.

Przetestuj wszystkie typy opakowanych półprzewodników
Praktycznie wszystkie typy opakowanych półprzewodników mogą być testowane, od diod mocy i tranzystorów po duże i wysoce złożone układy scalone cyfrowe, w tym części zamontowane na płycie, a nawet pakowane w produkt.

Mówiąc najprościej, impuls mocy jest wstrzykiwany do komponentu, a jego reakcja temperaturowa jest rejestrowana bardzo dokładnie w stosunku do czasu. Sam półprzewodnik służy zarówno do zasilania części, jak i do wykrywania odpowiedzi temperaturowej przy użyciu parametru wrażliwego na temperaturę na powierzchni matrycy, takiego jak tranzystor lub struktura diody.

Uzyskaj dostęp do niezawodnego oprogramowania
Oprogramowanie dostarczone z Simcenter Micred T3STER zapewnia dużą wartość rozwiązania. Dzieje się tak, ponieważ oprogramowanie Simcenter Micred T3STER może mierzyć śledzenie temperatury w porównaniu z czasem i przekształcić go w tak zwaną funkcję struktury. Na tym wykresie można wykryć dyskretne cechy opakowania, takie jak mocowanie matrycy, dzięki czemu Simcenter Micred T3STER jest doskonałym narzędziem diagnostycznym w rozwoju produktu. Wykres może być również wykorzystany do kalibracji szczegółowego modelu termicznego 3D w Simcenter Flotherm, tworząc model termiczny pakietu chipów, który przewiduje temperaturę zarówno w przestrzeni, jak i czasie z dokładnością 99+%.

Osiągnij wyższą dokładność w symulacji chłodzenia elektroniki dzięki pomiarowi i kalibracji

Ta biała księga uwzględnia czynniki zwiększające dokładność modelowania śledzenia i rozpraszania ciepła połączenia w ramach symulacji. Ilustruje pomiar termiczny modułu IGBT przy użyciu Simcenter T3STER i kalibrację modelu w połączeniu z symulacją termiczną w Simcenter Flotherm.

Możliwości Simcenter T3STER

Badania termiczne

Rodzina rozwiązań sprzętowych do charakteryzacji termicznej zapewnia dostawcom komponentów i systemów możliwość dokładnego i wydajnego testowania, pomiaru i charakterystyki termicznej półprzewodnikowych pakietów układów scalonych, pojedynczych i sześciennych diod LED, pakietów układanych w stos i wielofunkcyjnych, modułów elektroniki mocy, właściwości materiału interfejsu termicznego (TIM) oraz kompletnych systemów elektronicznych.

Nasze rozwiązania sprzętowe bezpośrednio mierzą rzeczywiste krzywe ogrzewania lub chłodzenia opakowanych urządzeń półprzewodnikowych w sposób ciągły i w czasie rzeczywistym, zamiast sztucznie komponować to z wyników kilku indywidualnych testów. Pomiar prawdziwej reakcji przejściowej termicznej w ten sposób jest znacznie bardziej wydajny i dokładny, co prowadzi do dokładniejszych metryk cieplnych niż metody w stanie ustalonym. Pomiary należy wykonywać tylko raz na próbkę, a nie powtórzyć, a średnią przyjmować tak, jak w przypadku metod w stanie stacjonarnym.

Przeczytaj więcej o testach termicznych

Obejrzyj webinar

Widok urządzenia Simcenter Micred Powertester.
Biała księga

Charakterystyka termiczna złożonej elektroniki

Przeczytaj tę białą księgę i dowiedz się o roli pomiaru przejściowego termicznego w charakteryzowaniu zachowania termicznego półprzewodników.

Chip przetwarzający podłączony do płyty okrągłej