Skip to main content
Ta strona jest wyświetlana przy użyciu automatycznego translatora. Czy chcesz wyświetlić ją w języku angielskim?
Dokument techniczny

Opcje pełnochipowe EUV do logiki i wzornictwa metalowego

Generowanie pełnochipowych masek krzywoliniowych EUV zapewnia maksymalne okno procesu, ale technologia używana do produkcji tych masek pozostaje zbyt wolna dla produkcji logicznej pełnochipowej. Dokonujemy przeglądu kilku alternatywnych podejść do korzystania tylko z technologii litografii odwrotnej (ILT), która oferuje od 4 do ponad 100 razy szybszy czas wykonywania z bardzo podobnymi metrykami litograficznymi.

Czego się nauczysz:

  • Dlaczego technologia litografii odwrotnej (ILT) nie jest praktyczna w przypadku generowania pełnochipowych masek krzywoliniowych EUV.
  • Jakie alternatywne podejścia istnieją przy szybszym czasie wykonywania, które również osiągają maksymalne okno procesu.
  • Jak tworzyć krzywoliniowe maski wyjściowe z 4-krotnie szybszym czasem wykonywania.
Lekarz w białym płaszczu badający gardło pacjenta za pomocą depresora języka
Dostępne funkcje

Funkcje EUV o wysokim poziomie na umożliwiające osiągnięcie rozdzielczości następnego węzła

Modelowanie OPC Calibre EUV i wielowzorcowanie oferują kompleksowe wsparcie w rozwiązywaniu unikalnych wyzwań związanych z EUV o wysokim RNA, takich jak optyka anamorficzna (do optymalizacji źródeł, modelowania, powiększania, MRC i przeszywania w terenie) oraz modelowanie 3D masek w celu uwzględnienia efektów cieniowania dla EUV o wysokim poziomie RNA.

Przeglądaj zasoby i powiązane produkty

Calibre EUV często zadawane pytania