Maskeprosesskorreksjon (MPC) er godt etablert som et nødvendig trinn i maskedataforberedelse (MDP) for produksjon av elektronstrålemasker ved avanserte teknologinoder fra 14nm og utover. MPC bruker vanligvis en elektronspredningsmodell for å representere e-stråleeksponering og en prosessmodell for å representere utvikling og etse prosesseffekter. Modellene brukes til iterativt å simulere plasseringen av layoutfunksjonskanter og flytte kantsegmenter for å maksimere kantposisjonsnøyaktigheten til den fullførte masken. Selektiv dosetildeling kan brukes i forbindelse med kantbevegelse for samtidig å maksimere nøyaktigheten av prosessvinduet og kantposisjonen.
MPC-metodikk for modellkalibrering og layoutkorreksjon er utviklet og optimalisert for vektorformede stråle (VSB) maskeskrivere som representerer den dominerende maskelitografiteknologien som brukes i dag for avansert maskeproduksjon. Flerstrålemaskeforfattere (MBMW) har nylig blitt introdusert og begynner nå å bli brukt i volumfotomaskeproduksjon.
Disse nye verktøyene er basert på massivt parallelle rasterskanningsarkitekturer som reduserer avhengigheten av skrivetid på layoutkompleksitet betydelig og forventes å øke og til slutt erstatte VSB-teknologi for avanserte nodemasker ettersom layoutkompleksiteten fortsetter å vokse [5] [6].
Selv om det forventes at eksisterende MPC-metoder utviklet for VSB-litografi lett kan tilpasses MBMW, er en grundig undersøkelse av maskefeilkorreksjon for MBMW nødvendig for å bekrefte anvendeligheten av nåværende verktøy og metoder, og for å identifisere eventuelle modifikasjoner som kan være nødvendig for å oppnå ønsket CD-ytelse av MBMW. I denne artikkelen vil vi presentere resultatene av en slik studie og bekrefte beredskapen til MPC for flerstrålemaskelitografi.
