I det siste tiåret har fotonikkteknologi vært en fremvoksende teknologi for optisk telekommunikasjon og optiske sammenkoblinger innen mikroelektronikk. Som et resultat har et stort mangfold av fotoniske designmetoder slått seg sammen med svært utfordrende skalaer og former. Fremstilling av slike krumme og kritiske fotoniske former krever avanserte oppløsningsforbedringsteknikker (RET), inkludert inverse litografiteknikker (ILT) med 193 nm nedsenkningslitografi. I denne artikkelen undersøker vi produksjonsutfordringene til flere fotonikkenheter ved hjelp av avanserte ILT-løsninger og virkningen av SRAF-innsetting på å levere god litokvalitet, inkludert kantplasseringsfeil (EPE), PVBand og linjekantgrovhet (LER). Vi vil demonstrere hvordan våre Calibre ILT-løsninger muliggjør produksjon av de mest utfordrende fotonikkdesignene.



