Generering av krumlinjede maskeformer i optisk nærhetskorreksjon (OPC) i stedet for rene rektangulære former blir mer og mer realistisk som en metode for å forbedre wafer-litografiytelsen. Hovedfordelen med å bruke krumlinjede former er et forbedret prosessvindu, noe som betyr at skivebildet er mindre følsomt for dose- og fokusforhold under eksponeringen. Med den økte beregningskraften til de nyeste høyytelsesklyngene og tilgjengeligheten av multistrålemaskeforfattere (MBMW), kan disse waferlitografifordelene realiseres ved teknologinoder som for tiden utvikles.
En veldig praktisk utfordring for å sette masker med krumlinjede former i produksjon er tilgjengeligheten av pålitelige maskeregelkontroller (MRC). OPC-motoren trenger ikke bare å generere former som er produserbare, men maskebutikken trenger også en metode for å verifisere at innkommende maskedata er produserbare. For krumlinjede maskeformer er dette mer utfordrende enn for rektangulære maskeformer, siden enkle bredde- og mellomromskontroller ikke lenger er tilstrekkelig.
I denne artikkelen diskuterer vi et omfattende sett med MRC-grenser og demonstrerer effektiviteten til en MRC-motor som opererer på krumlinjede inngangsdata. Rules som brukes her inkluderer minimum bredde på eksponerte funksjoner, minimum mellomrom mellom eksponerte funksjoner, minimum krumning av konvekse og konkave former, samt minimum areal av eksponerte funksjoner.
