Skip to main content
Denne siden vises ved hjelp av automatisk oversettelse. Vis på engelsk i stedet?

Oversikt

Calibre EUV

EUVs lille bølgelengde gir mulighet for fortsatt utvikling til mindre teknologinoder. Calibre EUV gir en komplett design gjennom produksjonsflyt for EUV-applikasjoner, og tar hensyn til alle modellerte EUV-effekter på tvers av Calibre-plattformen i forskjellige verktøy for rask og nøyaktig behandling.

Silisiumskiver i plastholderboks
Teknisk papir

EUV-fullbrikkealternativer for logikk via og metallmønster

Generering av EUV-krøllede masker med full chip gir maksimalt prosessvindu, men teknologien som brukes til å produsere disse maskene forblir for treg for fullbrikklogikkproduksjon. Vi gjennomgår flere alternative tilnærminger til å bruke bare invers litografiteknologi (ILT) som tilbyr mellom 4x til over 100x raskere kjøretid med veldig like litografiske beregninger.

Hva du vil lære:

  • Hvorfor invers litografiteknologi (ILT) ikke er praktisk for EUV full-chip krumlinjet maskegenerering.
  • Hvilke alternative tilnærminger finnes med raskere kjøretid som også oppnår maksimalt prosessvindu.
  • Hvordan produsere krumlinjede utgangsmasker med mellom 4x og over 100x raskere kjøretid.
Doctor in white coat examining patient's throat with tongue depressor
Utvalgte evner

EUV-funksjoner med høy NA for å oppnå neste node-oppløsning

Calibre EUV OPC-modellering og multi-mønster tilbyr omfattende støtte for å adressere de unike utfordringene ved EUV med høy NA, for eksempel anamorfisk optikk (for kildeoptimalisering, modellering, forstørrelse, MRC og feltsøm) og maskerer 3D-modellering for å ta hensyn til skyggeeffekter for EUV med høy NA.

Utforsk ressurser og relaterte produkter

Calibre EUV Ofte stilte spørsmål