Skip to main content
Deze pagina wordt weergegeven met behulp van automatische vertaling. In plaats daarvan in het Engels bekijken?

Waarom Simcenter Micred T3STER?

Simcenter Micred T3STER is een geavanceerde niet-destructieve thermische tester voor de thermische karakterisering van verpakte halfgeleiderapparaten (diodes, BJT's, vermogens-MOSFET's, IGBT's, power-LED's) en apparaten met meerdere matrijzen. Het meet de werkelijke thermische transiëntrespons efficiënter dan stationaire methoden. De metingen zijn tot ± 0,01° C met een resolutie tot 1 microseconde. Structuurfuncties verwerken de respons na de verwerking in een grafiek die de thermische weerstand en capaciteit van de kenmerken van de verpakking langs het warmtestroompad weergeeft. Simcenter Micred T3STER is een ideaal hulpmiddel voor het detecteren van storingen vóór en na stress. De metingen kunnen worden geëxporteerd voor thermische modelkalibratie, wat de nauwkeurigheid van het thermische ontwerp onderbouwt.

Maak snellere resultaten mogelijk met slechts één test
Simcenter Micred T3STER is eenvoudig in gebruik en snel. Het levert volledig reproduceerbare resultaten op, zodat elke test maar één keer hoeft te worden uitgevoerd. Simcenter Micred T3STER test verpakte IC's waarbij uitsluitend elektrische aansluitingen worden gebruikt voor voeding en detectie, wat snelle, herhaalbare resultaten oplevert en dat meerdere tests op hetzelfde onderdeel overbodig zijn. Componenten kunnen ter plaatse worden getest en de testresultaten kunnen worden gebruikt als een compact thermisch model of om een gedetailleerd model te kalibreren.

Test alle soorten verpakte halfgeleiders
Vrijwel alle soorten verpakte halfgeleiders kunnen worden getest, van vermogensdiodes en transistors tot grote en zeer complexe digitale IC's, inclusief onderdelen die op een bord zijn gemonteerd en zelfs in een product zijn verpakt.

Simpel gezegd, er wordt een stroompuls in het onderdeel geïnjecteerd en de temperatuurrespons wordt zeer nauwkeurig in de tijd geregistreerd. De halfgeleider zelf wordt zowel gebruikt om het onderdeel van stroom te voorzien als om de temperatuurrespons te meten met behulp van een temperatuurgevoelige parameter op het matrijsoppervlak, zoals een transistor- of diodestructuur.

Toegang tot betrouwbare software
De software die bij Simcenter Micred T3STER wordt geleverd, biedt een groot deel van de waarde van de oplossing. Dat komt omdat de Simcenter Micred T3STER-software de temperatuur versus de tijd kan meten en deze kan omzetten in een zogenaamde structuurfunctie. In deze grafiek kunnen afzonderlijke kenmerken van de verpakking, zoals de matrijsbevestiging, worden gedetecteerd, waardoor Simcenter Micred T3STER een uitstekend diagnostisch hulpmiddel is voor productontwikkeling. De plot kan ook worden gebruikt om een gedetailleerd thermisch 3D-model te kalibreren in Simcenter Flotherm, waarbij een thermisch model wordt gemaakt van een chippakket dat de temperatuur in zowel ruimte als tijd voorspelt met een nauwkeurigheid van meer dan 99%.

Bereik een hogere nauwkeurigheid in de simulatie van elektronische koeling met meting en kalibratie

In deze whitepaper wordt gekeken naar factoren voor een hogere nauwkeurigheid bij het modelleren van de warmteafvoer van sporen en verbindingen binnen de simulatie. Het illustreert de thermische meting van een IGBT-module met behulp van Simcenter T3STER en modelkalibratie in combinatie met thermische simulatie in Simcenter Flotherm.

Simcenter T3STER-mogelijkheden

Thermisch testen

De familie van hardwareoplossingen voor thermische karakterisering biedt leveranciers van componenten en systemen de mogelijkheid om pakketten met geïntegreerde schakelingen van halfgeleiders, LED's met één of meerdere matrijzen, pakketten met en met meerdere matrijzen, vermogenselektronicamodules, eigenschappen van thermisch interfacemateriaal (TIM) en complete elektronische systemen nauwkeurig en efficiënt te testen, te meten en thermisch te karakteriseren.

Onze hardwareoplossingen meten rechtstreeks de werkelijke verwarmings- of afkoelingscurven van verpakte halfgeleiderapparaten, continu en in realtime, in plaats van deze kunstmatig samen te stellen op basis van de resultaten van verschillende individuele tests. Het meten van de werkelijke thermische transiëntrespons op deze manier is veel efficiënter en nauwkeuriger, wat leidt tot nauwkeurigere thermische meetwaarden dan steady-state methoden. De metingen hoeven slechts één keer per monster te worden uitgevoerd, in plaats van herhaald en er moet een gemiddelde worden genomen zoals bij steady-state methoden.

Lees meer over thermische tests

Webinar bekijken

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Witboek

Thermische karakterisering van complexe elektronica

Lees dit witboek en kom meer te weten over de rol van thermische transiëntmetingen om het thermische gedrag van halfgeleiders te karakteriseren.

Een verwerkingschip die is aangesloten op een printplaat