Skip to main content
Deze pagina wordt weergegeven met behulp van automatische vertaling. In plaats daarvan in het Engels bekijken?

Waarom Simcenter Micred T3STER?

Simcenter Micred T3STER is een geavanceerde niet-destructieve transiënte thermische tester voor de thermische karakterisering van verpakte halfgeleiderapparaten (diodes, BJT's, vermogens-MOSFET's, IGBT's, power-LED's) en multi-die-apparaten. Het meet de werkelijke thermische transiënte respons efficiënter dan stationaire methoden. De metingen zijn tot ± 0,01° C met een tijdresolutie van maximaal 1 microseconde. Structuurfuncties verwerken de respons na verwerking in een grafiek die de thermische weerstand en capaciteit van de pakketkenmerken langs het warmtestroompad weergeeft. Simcenter Micred T3STER is een ideaal hulpmiddel voor het detecteren van storingen vóór en na stress. De metingen kunnen worden geëxporteerd voor thermische modelkalibratie, wat de nauwkeurigheid van het thermische ontwerp ondersteunt.

Snellere resultaten mogelijk maken met slechts één testSimcenter Micred T3STER is eenvoudig in gebruik en snel. Het levert volledig reproduceerbare resultaten op, zodat elke test maar één keer hoeft te worden uitgevoerd. Simcenter Micred T3STER test verpakte IC's met alleen elektrische aansluitingen voor voeding en detectie, wat snelle, herhaalbare resultaten oplevert en de noodzaak van meerdere tests op hetzelfde onderdeel overbodig maakt. Componenten kunnen ter plaatse worden getest en de testresultaten kunnen worden gebruikt als een compact thermisch model of om een gedetailleerd model te kalibreren.

Test alle soorten verpakte halfgeleidersVrijwel alle soorten verpakte halfgeleiders kunnen worden getest, van vermogensdiodes en transistors tot grote en zeer complexe digitale IC's, inclusief onderdelen die op een bord zijn gemonteerd en zelfs in een product zijn verpakt.

Simpel gezegd, er wordt een stroompuls in het onderdeel geïnjecteerd en de temperatuurrespons wordt zeer nauwkeurig tegen de tijd geregistreerd. De halfgeleider zelf wordt zowel gebruikt om het onderdeel van stroom te voorzien als om de temperatuurrespons te meten met behulp van een temperatuurgevoelige parameter op het matrijsoppervlak, zoals een transistor- of diodestructuur.

Toegang tot betrouwbare softwareDe software die bij Simcenter Micred T3STER wordt geleverd, biedt een groot deel van de waarde van de oplossing. Dat komt omdat de Simcenter Micred T3STER-software de temperatuur versus de tijd kan meten en deze kan omzetten in een zogenaamde structuurfunctie. In deze grafiek kunnen afzonderlijke kenmerken van het pakket, zoals de matrijsbevestiging, worden gedetecteerd, waardoor Simcenter Micred T3STER een uitstekend diagnostisch hulpmiddel is bij productontwikkeling. De plot kan ook worden gebruikt om een gedetailleerd 3D-thermisch model te kalibreren in Simcenter Flotherm, waardoor een thermisch model van een chippakket wordt gemaakt dat de temperatuur in zowel ruimte als tijd voorspelt met een nauwkeurigheid van 99+%.

Bereik een hogere nauwkeurigheid in de simulatie van elektronische koeling met meting en kalibratie

Deze whitepaper behandelt factoren voor een hogere nauwkeurigheid voor het modelleren van de warmteafvoer van sporen en verbindingen binnen de simulatie. Het illustreert de thermische meting van een IGBT-module met behulp van Simcenter T3STER en modelkalibratie in combinatie met thermische simulatie in Simcenter Flotherm.

Simcenter T3STER-mogelijkheden

Thermisch testen

De familie van hardwareoplossingen voor thermische karakterisering biedt leveranciers van componenten en systemen de mogelijkheid om pakketten met geïntegreerde schakelingen van halfgeleiders, afzonderlijke en gearrangeerde LED's, gestapelde en multi-die-pakketten, vermogenselektronicamodules, eigenschappen van thermisch interfacemateriaal (TIM) en complete elektronische systemen nauwkeurig en efficiënt te testen, te meten en thermisch te karakteriseren.

Onze hardwareoplossingen meten continu en in realtime rechtstreeks de werkelijke verwarmings- of koelingscurven van verpakte halfgeleiderapparaten, in plaats van deze kunstmatig samen te stellen op basis van de resultaten van verschillende individuele tests. Het meten van de werkelijke thermische transiëntrespons op deze manier is veel efficiënter en nauwkeuriger, wat leidt tot nauwkeurigere thermische metrieken dan steady-state methoden. De metingen hoeven slechts eenmaal per monster te worden uitgevoerd, in plaats van herhaald te worden en er moet een gemiddelde worden genomen zoals bij steady-state methoden.

Lees meer over thermisch testen

Webinar bekijken

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Whitepaper

Thermische karakterisering van complexe elektronica

Lees deze whitepaper en kom meer te weten over de rol van thermische transiëntmetingen om het thermische gedrag van halfgeleiders te karakteriseren.

Een verwerkingschip aangesloten op een printplaat