Mask Process Correction (MPC) is algemeen bekend als een noodzakelijke stap in de voorbereiding van maskergegevens (MDP) voor de productie van elektronenstraalmaskers op knooppunten met geavanceerde technologie vanaf 14 nm en hoger. MPC maakt doorgaans gebruik van een elektronenverstrooiingsmodel om de blootstelling aan e-stralen weer te geven en een procesmodel om de effecten van het ontwikkelings- en etsproces weer te geven. De modellen worden gebruikt om iteratief de positie van de randen van de lay-outkenmerken te simuleren en randsegmenten te verplaatsen om de nauwkeurigheid van de randpositie van het voltooide masker te maximaliseren. Selectieve dosistoewijzing kan worden gebruikt in combinatie met randbewegingen om tegelijkertijd de nauwkeurigheid van het procesvenster en de randpositie te maximaliseren.
De MPC-methodologie voor modelkalibratie en lay-outcorrectie is ontwikkeld en geoptimaliseerd voor maskerschrijvers met vectorvormige stralen (VSB), die de dominante maskerlithografietechnologie vertegenwoordigen die tegenwoordig wordt gebruikt voor geavanceerde maskerproductie. Maskerschrijvers met meerdere stralen (MBMW) zijn onlangs geïntroduceerd en worden nu gebruikt voor de productie van fotomaskers op grote schaal.
Deze nieuwe hulpmiddelen zijn gebaseerd op sterk parallelle rasterscanarchitecturen die de afhankelijkheid van de schrijftijd en de complexiteit van de lay-out aanzienlijk verminderen en naar verwachting de VSB-technologie voor geavanceerde knoopmaskers zullen verbeteren en uiteindelijk vervangen, naarmate de complexiteit van de lay-out blijft toenemen [5] [6].
Hoewel verwacht wordt dat bestaande MPC-methoden die zijn ontwikkeld voor VSB-lithografie gemakkelijk kunnen worden aangepast aan MBMW, is een grondig onderzoek naar de correctie van maskerfouten voor MBMW noodzakelijk om de toepasbaarheid van de huidige instrumenten en methoden volledig te bevestigen en om vast te stellen welke aanpassingen nodig kunnen zijn om de gewenste CD-prestaties van MBMW te bereiken. In dit artikel zullen we de resultaten van een dergelijk onderzoek presenteren en bevestigen dat MPC gereed is voor meerstraalmaskerlithografie.
