EUV pilnas mikroshēmas izliektu masku ģenerēšana piedāvā maksimālu procesa logu, taču šo masku ražošanai izmantotā tehnoloģija joprojām ir pārāk lēna pilnas mikroshēmas loģikas ražošanai. Mēs pārskatām vairākas alternatīvas pieejas tikai apgrieztās litogrāfijas tehnoloģijas (ILT) izmantošanai, kas piedāvā no 4 līdz vairāk nekā 100 reizes ātrāku izpildlaiku ar ļoti līdzīgu litogrāfisko metriku.
Ko jūs iemācīsities:
- Kāpēc apgrieztās litogrāfijas tehnoloģija (ILT) nav praktiska EUV pilnas mikroshēmas izliektu masku ģenerēšanai.
- Kādas alternatīvas pieejas pastāv ar ātrāku izpildlaiku, kas arī nodrošina maksimālu procesa logu.
- Kā izgatavot izliektas izejas maskas ar 4x līdz vairāk nekā 100x ātrāku izpildlaiku.




