Kaukių proceso korekcija (MPC) yra gerai žinoma kaip būtinas kaukės duomenų rengimo (MDP) žingsnis elektronų pluošto kaukių gamybai pažangių technologijų mazguose nuo 14 nm ir už jo ribų. MPC paprastai naudoja elektronų sklaidos modelį el. spindulio ekspozicijai pavaizduoti ir proceso modelį, skirtą plėtoti ir ėsdinti proceso efektus. Modeliai naudojami iteratyviai imituoti išdėstymo funkcijų kraštų padėtį ir perkelti kraštų segmentus, kad maksimaliai padidintų užbaigtos kaukės krašto padėties tikslumą. Selektyvus dozės priskyrimas gali būti naudojamas kartu su krašto judėjimu, kad vienu metu būtų maksimaliai padidintas proceso lango ir krašto padėties tikslumas.
MPC modelių kalibravimo ir išdėstymo korekcijos metodika buvo sukurta ir optimizuota vektoriaus formos pluošto (VSB) kaukių rašytojams, kurie atstovauja dominuojančiai kaukių litografijos technologijai, šiandien naudojamai pažangiai kaukių gamybai. Neseniai buvo pristatyti kelių spindulių kaukių rašytojai (MBMW) ir dabar pradedami naudoti apimties fotomaskių gamyboje.
Šie nauji įrankiai yra pagrįsti masiškai lygiagrečiai rastrinio nuskaitymo architektūromis, kurios žymiai sumažina rašymo laiko priklausomybę nuo išdėstymo sudėtingumo ir tikimasi, kad padidins ir galiausiai pakeis VSB technologiją pažangioms mazgų kaukėms, nes išdėstymo sudėtingumas toliau auga [5] [6].
Nors tikimasi, kad esami MPC metodai, sukurti VSB litografijai, gali būti lengvai pritaikyti MBMW, norint visiškai patvirtinti dabartinių įrankių ir metodų pritaikomumą ir nustatyti bet kokius pakeitimus, kurių gali prireikti norint pasiekti norimą MBMW kompaktinių diskų našumą, būtina griežtai ištirti MBMW. Šiame darbe pristatysime tokio tyrimo rezultatus ir patvirtinsime MPC pasirengimą kelių spindulių kaukių litografijai.
