Simcenter Micred T3STER 은 패키지형 반도체 디바이스 (다이오드, BJT, 파워 MOSFET, IGBT, 파워 LED) 와 멀티 다이 디바이스의 열 특성 분석을 위한 첨단 비파괴 과도 열 테스터예요.정상 상태 방법보다 실제 열 과도 응답을 더 효율적으로 측정해요.측정값은 ±0.01°C이고 시간 분해능은 최대 1마이크로초예요.구조 함수는 응답을 후처리해서 열 흐름 경로를 따라 나타나는 패키지 특징의 열 저항과 커패시턴스를 보여주는 도표로 만들어요.Simcenter Micred T3STER 은 스트레스 전후 장애 감지 도구에 이상적이에요.측정값은 열 모델 보정을 위해 내보낼 수 있어 열 설계 노력의 정확성을 뒷받침해요.
한 번의 테스트로 더 빠른 결과를 얻을 수 있어요.
Simcenter 마이크로드 T3STER 사용하기 쉽고 빠르죠.완전히 재현 가능한 결과를 내므로 각 테스트는 한 번만 수행하면 돼요.Simcenter Micred T3STER 은 전력 공급 및 감지용 전기 연결만으로 패키지 IC를 테스트하여 빠르고 반복 가능한 결과를 제공하고 동일한 부품에 대해 여러 번 테스트할 필요가 없어요.부품을 현장에서 테스트할 수 있고 테스트 결과를 소형 열 모델로 사용하거나 세부 모델을 보정하는 데 사용할 수 있어요.
모든 유형의 패키지형 반도체를 테스트하세요
파워 다이오드와 트랜지스터부터 크고 매우 복잡한 디지털 IC에 이르기까지 거의 모든 유형의 패키지 반도체를 테스트할 수 있어요. 보드에 장착되고 제품에 패키징되는 부품도 포함돼요.
간단히 말해서, 파워 펄스가 부품에 주입되고 시간에 대한 온도 반응이 매우 정확하게 기록돼요.반도체 자체가 부품에 전원을 공급하고 트랜지스터나 다이오드 구조처럼 다이 표면의 온도에 민감한 파라미터를 사용하여 온도 응답을 감지하는 데 사용돼요.
믿을 수 있는 소프트웨어에 접속하세요
Simcenter Micred T3STER 함께 제공되는 소프트웨어는 솔루션의 많은 가치를 제공해요.Simcenter Micred T3STER 소프트웨어가 온도 대 시간 트레이스를 가져와서 구조 함수로 변환할 수 있기 때문이에요.다이 어태치먼트와 같은 패키지의 개별 기능을 이 플롯에서 감지할 수 있어 Simcenter Micred T3STER 은 제품 개발에 훌륭한 진단 도구예요.플롯을 사용하여 Simcenter Flotherm에서 상세한 3D 열 모델을 보정하여 99+% 정확도로 시공간의 온도를 예측하는 칩 패키지의 열 모델을 만들 수도 있어요.
측정과 보정을 통해 전자 냉각 시뮬레이션에서 더 높은 정확도를 달성하세요
이 백서는 시뮬레이션 내에서 트레이스 및 연결 열 분산을 모델링할 때 정확도를 높이는 요인을 고려해요.Simcenter T3STER 사용한 IGBT 모듈의 열 측정과 Simcenter Flotherm의 열 시뮬레이션과 함께 모델 캘리브레이션을 보여주는 거예요.
