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기술 문서

로직 비아 및 금속 패터닝을 위한 EUV 풀칩 옵션

EUV 풀칩 커비리니어 마스크를 생성하면 공정 윈도우를 극대화할 수 있지만 마스크를 생산하는 데 사용되는 기술은 풀칩 로직 제조를 하기에는 너무 느리거든요.저희는 매우 유사한 리소그래피 측정법으로 4배에서 100배 이상 빠른 런타임을 제공하는 역 리소그래피 기술 (ILT) 만 사용하는 몇 가지 대안을 검토해요.

배우게 될 내용:

  • EUV 풀칩 커비리니어 마스크 생성에 인버스 리소그래피 기술 (ILT) 이 실용적이지 않은 이유예요.
  • 실행 시간이 더 빠르고 프로세스 창도 최대화하는 방법이 뭐가 있어요?
  • 런타임이 4배에서 100배 이상 빠른 곡선형 출력 마스크를 만드는 방법이에요.
흰 코트 입은 의사가 혀 눌림기로 환자 목을 검사하고 있어요
주요 기능

다음 노드 해상도 구현을 위한 고NA급 EUV 기능들

Calibre EUV OPC 모델링과 멀티 패터닝은 아나모픽 광학 (소스 최적화, 모델링, 확대, MRC, 필드 스티칭용) 과 고 NA EUV의 섀도잉 효과를 설명하는 마스크 3D 모델링 같은 고 NA EUV의 고유한 문제를 해결하는 포괄적인 지원을 제공해요.

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칼리버 EUV 자주 묻는 질문