Simcenter Micred T3STERは、パッケージ化された半導体デバイス（ダイオード、BJT、パワーMOSFET、IGBT、パワーLED）およびマルチダイデバイスの熱特性を評価するための高度な非破壊過渡熱試験機です。定常状態法よりも効率的に真の熱過渡応答を測定します。測定値は±0.01°C、時間分解能は最大1マイクロ秒です。構造関数は、応答を熱流路に沿ったパッケージ機能の熱抵抗と静電容量を示すプロットに後処理します。Simcenter Micred T3STERは、プレストレスおよびポストストレス障害検出ツールとして理想的です。測定値は熱モデルのキャリブレーション用にエクスポートでき、熱設計作業の精度を支えます。

たった1回のテストでより早く結果を出せるようになります
Simcenter マイクレッド T3STERは使いやすく、高速です。完全に再現可能な結果が得られるので、各テストは1回実行するだけで済みます。Simcenter Micred T3STERは、電力供給と検出に電気接続のみを使用してパッケージICをテストします。これにより、迅速で再現性のある結果が得られ、同じ部品で複数のテストを行う必要がなくなります。コンポーネントはその場でテストでき、テスト結果はコンパクトな熱モデルとして、または詳細なモデルのキャリブレーションに使用できます。

あらゆる種類のパッケージ半導体をTest してください
パワーダイオードやトランジスタから、ボードに取り付けられた部品や製品にパッケージ化された部品を含む、大きくて非常に複雑なデジタルICまで、事実上すべてのタイプのパッケージ半導体をテストできます。

簡単に言えば、パワーパルスがコンポーネントに注入され、その温度応答は時間に対して非常に正確に記録されます。半導体自体は、部品への給電と、トランジスタやダイオード構造などのダイ表面の温度に敏感なパラメーターを使用して温度応答を検出するために使用されます。

信頼できるソフトウェアにアクセスしてください
Simcenter Micred T3STERに付属のソフトウェアは、ソリューションの価値を大きく引き出します。これは、Simcenter Micred T3STERソフトウェアが温度対時間のトレースを取得し、それを構造関数と呼ばれるものに変換できるからです。このプロットでは、ダイのアタッチなど、パッケージの個別の特徴を検出できるため、Simcenter Micred T3STERは製品開発における優れた診断ツールとなっています。このプロットは、Simcenter Flothermで詳細な3D熱モデルのキャリブレーションにも使用できます。これにより、空間と時間の両方の温度を 99% 以上の精度で予測するチップパッケージの熱モデルを作成できます。

熱試験

熱特性評価ハードウェアソリューションのファミリーは、コンポーネントおよびシステムサプライヤーに、半導体集積回路パッケージ、シングルおよびアレイLED、スタック型およびマルチダイパッケージ、パワーエレクトロニクスモジュール、サーマルインターフェイスマテリアル（TIM）の特性、および完全な電子システムを正確かつ効率的にテスト、測定、および熱特性評価できるようにします。

当社のハードウェアソリューションは、パッケージ化された半導体デバイスの実際の加熱曲線または冷却曲線を連続的かつリアルタイムで直接測定します。複数の個別のテストの結果から人為的に測定することはありません。この方法で真の熱過渡応答を測定する方がはるかに効率的で正確で、定常状態法よりも正確な熱指標が得られます。測定は、定常法のように繰り返して平均をとるのではなく、サンプルごとに1回行うだけで済みます。

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