EUV、または極紫外リソグラフィーは、非常に短い波長の光（13.5nm）を使用してシリコンウェーハに画像を印刷する技術です。EUVは波長が小さく、フィーチャサイズよりも小さいため、印刷がはるかに簡単になり、5nm、3nmなどの高度な製造技術ノードのパターン解像度を実現するために不可欠であるため、これが必要です。

Calibreは、短距離効果と長距離効果の両方を含む、フレアなどのEUV特有の光学効果をすべてモデル化します。Calibreは、領域分解法の動的モデル生成をサポートしているので、精度を損なうことなく、方位角、収差、アポダイゼーション、およびスリット全体のソース変動を継続的にモデリングできます。厚みのあるマスクアブソーバーや軸外照明による3Dマスク効果（スリット全体で変化します）を正確に補正できます。また、CalibreはOPCを通して画像への影響を排除するためにブラックボーダー効果をモデル化しています。キャリバーはハイNAEUVにも対応しています。Calibreには、モデリングからOPCまでアナモルフィック光学をサポートするための新しい機能が搭載されています。

EUVリソグラフィでは、5nmノード以下ではSRAFが必要になる可能性があります。SRAFはイメージ・ログ・スロープ（ILS）に良い影響を与え、それによってラインエッジの粗さ（LER）を減らし、焦点深度（DOF）を高めます。EUVの軸外照明と分割によるさまざまなシャドウ効果により、水平方向と垂直方向の両方で非対称のSRAFが必要になる場合があり、スリット位置ごとに異なるSRAFが必要になる場合があります。

CalibreのSRAFソリューションでは、SRAFの配置にEUVモデルを使用できます。Calibre PxOPCは非対称SRAFを生成でき、目標自由度、ILS、または対物レンズの組み合わせに合わせて調整できます。CCalibre nmSRAF は、PxOPCの結果をテンプレートとして使用してルールベースのSRAFを生成し、SRAFを非対称に配置できます。Calibre NMclsRAFは、インバースリソグラフィエンジンからの自由形状のSRAF形状に柔軟性を提供します。テンプレートを順次適用し、MRCのコンフリクトのクリーンアップを実行し、EUVマスクに曲線状のSRAFを生成できます。

高NA（開口数）EUVは、先端技術ノードのパターン分解能を実現するために必要なEUVリソグラフィー（現在の0.33NAから0.5NA以上）を進化させたものです。キャリバーはハイNA EUV用にすでに準備されています。Calibreのモデリングおよびマスク合成製品は、モデリングからOPC、MPC/MDPまで、アナモルフィック光学系をすでにサポートしています。マルチパターニングを備えたCalibre EUV OPCは製造実績があり、キャリバーソースマスク最適化（SMO）には高NAEUV用の高度な機能も含まれています。

Calibreは、EUVアプリケーション向けの完全な設計から製造フローを提供します。CalibreのEUVソリューションは、以下を提供することで課題に対処します。

EUVの完全なモデリングサポート- Calibreのモデリングテクノロジーは、フレア、ブラックボーダー効果、3Dマスク効果を含むすべてのEUV効果を完全にサポートしています。

包括的な製品スイート- モデル化された効果はすべて、キャリバーPxSMO、Calibre pxOPC、キャリバーnMoPC、キャリバーNMSraf、キャリバーOPCVerifyなどのキャリバー製品で考慮されています。これらは現在テープアウトに使用されています。

階層的データ処理- Calibre EUVフローは、完全なグローバルEUVモデルを使用しながらメインヒエラルキーに基づいて設計されているため、高速で正確なOPCフローが可能です。

曲線データ処理- Calibre Curvilinearデータ準備Solutions、EUVマスクのテープアウトフロー全体で有効にできます。

次のノードの精度にAIを活用してください- Calibre EUVには、マスク合成を高速化する高度な機械学習技術が含まれており、リソグラフィの品質を維持しながら実行時間を大幅に改善します。