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Documento tecnico

Opzioni EUV a chip completo per Logic Via & Metal Patterning

La generazione di maschere curvilinee EUV full chip offre la massima finestra di processo, ma la tecnologia utilizzata per produrre queste maschere rimane troppo lenta per la produzione logica a chip completo. Esaminiamo diversi approcci alternativi all'utilizzo della sola tecnologia di litografia inversa (ILT) che offrono un'autonomia da 4 a oltre 100 volte più veloce con metriche litografiche molto simili.

Cosa imparerà:

  • Perché la tecnologia di litografia inversa (ILT) non è pratica per la generazione di maschere curvilinee a chip completo EUV.
  • Quali approcci alternativi esistono con un runtime più rapido che raggiunga anche la finestra di processo massima.
  • Come produrre maschere di output curvilinee con un'autonomia compresa tra 4 e oltre 100 volte più veloce.
Medico in camice bianco che esamina la gola del paziente con un abbassalingua
Capacità in evidenza

Funzionalità EUV high-NA per ottenere una risoluzione del nodo successivo

La modellazione OPC e il multi-patterning di Calibre EUV offrono un supporto completo per affrontare le sfide uniche dell'EUV ad alto NA come l'ottica anamorfica (per l'ottimizzazione della sorgente, la modellazione, l'ingrandimento, MRC e la cucitura sul campo) e la modellazione 3D con maschere per tenere conto degli effetti di ombreggiatura per EUV ad alto NA.

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Domande frequenti su Calibre EUV