Skip to main content
Ez az oldal automatikus fordítással jelenik meg. Inkább megnézi angolul?
Műszaki papír

EUV teljes chipes opciók logikai és fémmintázáshoz

Az EUV teljes chipes görbvonalas maszkok generálása maximális folyamatablakot kínál, de a maszkok előállításához használt technológia túl lassú marad a teljes chipes logikai gyártáshoz. Számos alternatív megközelítést vizsgálunk a csak inverz litográfiai technológia (ILT) használatához, amelyek 4-szer és több mint 100-szor gyorsabb futási időt kínálnak nagyon hasonló litográfiai mutatókkal.

Amit megtanulsz:

  • Miért nem praktikus az inverz litográfiai technológia (ILT) az EUV teljes chipes görbvonalas maszk generálásához.
  • Milyen alternatív megközelítések léteznek a gyorsabb futásidővel, amelyek maximális folyamatablakot is elérnek.
  • Hogyan készítsünk görbe vonalú kimeneti maszkokat 4-szer és több mint 100x gyorsabb futási idővel.
Fehér kabátú orvos nyelvdepresszorral vizsgálja a beteg torkát
Kiemelt adottságok

Magas NS-es EUV funkciók a következő csomópont felbontásának eléréséhez

A Calibre EUV OPC modellezés és a többmintás átfogó támogatást nyújt a magas NS-es EUV egyedi kihívásainak kezelésére, például az anamorf optika (forrásoptimalizáláshoz, modellezéshez, nagyításhoz, MRC-hez és terepi varráshoz), valamint maszk 3D modellezést, hogy figyelembe vegyék a magas NS-es EUV árnyékolási hatásait.

Fedezze fel az erőforrásokat és a kapcsolódó termékeket

Calibre EUV gyakran ismételt kérdések