Korekcija procesa maski (MPC) dobro je uspostavljena kao nužan korak u pripremi podataka o maskama (MDP) za proizvodnju maski elektronskog snopa na čvorovima napredne tehnologije od 14nm i dalje. MPC obično koristi model raspršivanja elektrona za predstavljanje izloženosti e-snopu i procesni model za predstavljanje učinaka procesa razvoja i jetkanja. Modeli se koriste za iterativnu simulaciju položaja rubova značajki izgleda i pomicanje rubnih segmenata kako bi se povećala točnost položaja ruba dovršene maske. Selektivno dodjeljivanje doze može se koristiti zajedno s pomicanjem ruba kako bi se istovremeno povećala točnost prozora procesa i položaja ruba.
MPC metodologija za kalibraciju modela i korekciju izgleda razvijena je i optimizirana za pisce maski u obliku vektorskog snopa (VSB) koji predstavljaju dominantnu tehnologiju litografije maski koja se danas koristi za naprednu proizvodnju maski. Pisači maski s više zraka (MBMW) nedavno su predstavljeni i sada se počinju koristiti u proizvodnji volumnih fotomaski.
Ovi novi alati temelje se na masivno paralelnim arhitekturama rasterskog skeniranja koje značajno smanjuju ovisnost vremena pisanja o složenosti izgleda i očekuje se da će povećati i na kraju zamijeniti VSB tehnologiju za napredne maske čvorova kako složenost izgleda nastavlja rasti [5] [6].
Iako se očekuje da se postojeće MPC metode razvijene za VSB litografiju mogu lako prilagoditi MBMW, potrebno je rigorozno ispitivanje korekcije pogrešaka maske za MBMW kako bi se u potpunosti potvrdila primjenjivost trenutnih alata i metoda i identificirale sve modifikacije koje mogu biti potrebne za postizanje željene performanse CD-a MBMW. U ovom radu predstavit ćemo rezultate takve studije i potvrditi spremnost MPC-a za litografiju maski s više zraka.




