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Document technique

Options de puce EUV complètes pour Logic Via et Metal Pattern

La génération de masques curvilinéaires EUV à puce complète offre une fenêtre de traitement maximale, mais la technologie utilisée pour produire ces masques reste trop lente pour la fabrication de circuits logiques complets. Nous passons en revue plusieurs approches alternatives pour utiliser uniquement la technologie de lithographie inverse (ILT) qui offre une durée d'exécution 4 à 100 fois plus rapide avec des paramètres lithographiques très similaires.

Ce que vous allez apprendre :

  • Pourquoi la technologie de lithographie inverse (ILT) n'est pas pratique pour la génération de masques curvilinéaires EUV à puce complète.
  • Quelles autres approches existent avec une exécution plus rapide qui permet également d'obtenir une fenêtre de traitement maximale.
  • Comment produire des masques de sortie curvilinéaires avec un temps d'exécution entre 4 et 100 fois plus rapide.
Un médecin en blouse blanche examine la gorge d'un patient à l'aide d'un abaisse-langue
Fonctions phares

Fonctionnalités EUV à haute teneur en NA pour atteindre la résolution du nœud suivant

La modélisation OPC et la modélisation multi-motifs Calibre EUV offrent une assistance complète pour relever les défis uniques liés à l'EUV à haute teneur en NA, tels que l'optique anamorphique (pour l'optimisation des sources, la modélisation, le grossissement, la MRC et l'assemblage sur le terrain) et la modélisation 3D des masques pour tenir compte des effets d'ombre liés à l'EUV à haute teneur en NA.

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Questions fréquemment posées sur le Calibre EUV