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Pourquoi choisir Simcenter Micred T3STER ?

Simcenter Micred T3STER est un testeur thermique transitoire non destructif avancé pour la caractérisation thermique de dispositifs à semi-conducteurs emballés (diodes, BJT, MOSFET de puissance, IGBT, DEL de puissance) et de dispositifs multipuces. Il mesure la réponse transitoire thermique réelle plus efficacement que les méthodes en régime permanent. Les mesures sont mesurées à ±0,01° C avec une résolution temporelle pouvant atteindre 1 microseconde. Les fonctions de structure posttraitent la réponse dans un diagramme qui montre la résistance thermique et la capacité des éléments de l'emballage le long du trajet du flux de chaleur. Simcenter Micred T3STER est un outil idéal de détection des défaillances avant et après une contrainte. Les mesures peuvent être exportées pour l'étalonnage du modèle thermique, ce qui sous-tend la précision de l'effort de conception thermique.

Accélérez les résultats grâce à un seul testSimcenter Micred T3STER est facile à utiliser et rapide. Il produit des résultats entièrement reproductibles, de sorte que chaque essai ne doit être effectué qu'une seule fois. Simcenter Micred T3STER teste les circuits intégrés emballés en utilisant uniquement des connexions électriques pour l'alimentation et la détection, ce qui donne des résultats rapides et reproductibles et élimine le besoin de plusieurs tests sur la même pièce. Les composants peuvent être testés in situ et les résultats des essais peuvent être utilisés comme modèle thermique compact ou pour étalonner un modèle détaillé.

Mettre à l'essai tous les types de semi-conducteurs emballésPratiquement tous les types de semi-conducteurs emballés peuvent être testés, des diodes et transistors de puissance aux circuits intégrés numériques volumineux et très complexes, y compris les pièces montées sur une carte et même emballées dans un produit.

En termes simples, une impulsion de puissance est injectée dans le composant et sa réponse à la température est enregistrée très précisément dans le temps. Le semi-conducteur lui-même est utilisé à la fois pour alimenter la pièce et pour détecter la réponse à la température à l'aide d'un paramètre sensible à la température sur la surface de la matrice, tel qu'un transistor ou une structure de diode.

Accéder à des logiciels fiablesLe logiciel fourni avec Simcenter Micred T3STER fournit une grande partie de la valeur de la solution. C'est parce que le logiciel Simcenter Micred T3STER peut prendre la trace de la température par rapport au temps et la convertir en ce qu'on appelle une fonction de structure. Des caractéristiques distinctes de l'emballage, telles que la fixation de la matrice, peuvent être détectées dans ce graphique, ce qui fait du Simcenter Micred T3STER un excellent outil de diagnostic pour le développement de produits. Le diagramme peut également être utilisé pour calibrer un modèle thermique 3D détaillé dans Simcenter Flotherm, créant ainsi un modèle thermique d'un ensemble de puces qui prédit la température dans l'espace et dans le temps avec une précision de plus de 99 %.

Atteindre une plus grande précision dans la simulation de refroidissement électronique grâce à la mesure et à l'étalonnage

Ce livre blanc examine les facteurs d'une plus grande précision pour la modélisation de la dissipation thermique des traces et des raccordements dans le cadre de la simulation. Il illustre la mesure thermique d'un module IGBT à l'aide du Simcenter T3STER et l'étalonnage du modèle en conjonction avec la simulation thermique dans Simcenter Flotherm.

Capacités Simcenter T3STER

Essais thermiques

La famille de solutions matérielles de caractérisation thermique permet aux fournisseurs de composants et de systèmes de tester, de mesurer et de caractériser thermiquement avec précision et efficacité les boîtiers de circuits intégrés à semi-conducteurs, les DEL simples et matrices, les boîtiers empilés et multipuces, les modules électroniques de puissance, les propriétés des matériaux d'interface thermique (TIM) et les systèmes électroniques complets.

Nos solutions matérielles mesurent directement les courbes réelles de chauffage ou de refroidissement des dispositifs semi-conducteurs emballés en continu et en temps réel, plutôt que de les composer artificiellement à partir des résultats de plusieurs tests individuels. La mesure de la véritable réponse thermique transitoire de cette manière est beaucoup plus efficace et précise, ce qui permet d'obtenir des mesures thermiques plus précises que les méthodes en régime permanent. Les mesures ne doivent être effectuées qu'une seule fois par échantillon, plutôt que répétées et une moyenne doit être prise comme avec les méthodes à l'état d'équilibre.

En savoir plus sur les essais thermiques

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A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Livre blanc

Caractérisation thermique de l'électronique complexe

Lisez ce livre blanc et découvrez le rôle de la mesure des transitoires thermiques dans la caractérisation du comportement thermique des semi-conducteurs.

Une puce de traitement reliée à une carte de circuit