La correction du processus de masque (MPC) est bien établie en tant qu'étape nécessaire de la préparation des données de masque (MDP) pour la fabrication de masques à faisceau d'électrons sur des nœuds technologiques de pointe à partir de 14 nm. MPC utilise généralement un modèle de diffusion d'électrons pour représenter l'exposition au faisceau électronique et un modèle de processus pour représenter les effets du processus de développement et de gravure. Les modèles sont utilisés pour simuler de manière itérative la position des arêtes des caractéristiques de mise en page et déplacer les segments de bord pour maximiser la précision de la position des bords du masque terminé. L'attribution sélective des doses peut être utilisée conjointement avec le mouvement des bords pour maximiser simultanément la précision de la fenêtre de processus et de la position des bords.
La méthodologie MPC pour l'étalonnage des modèles et la correction de la disposition a été développée et optimisée pour les écrivains de masques à faisceau vectoriel (VSB) qui représentent la technologie dominante de lithographie de masque utilisée aujourd'hui pour la fabrication de masques avancés. Les lecteurs de masques multifaisceaux (MBMW) ont récemment été introduits et commencent maintenant à être utilisés dans la production de photomasques en volume.
Ces nouveaux outils sont basés sur des architectures d'analyse raster massivement parallèles qui réduisent considérablement la dépendance du temps d'écriture sur la complexité de la mise en page et devraient augmenter et éventuellement remplacer la technologie VSB pour les masques de nœuds avancés à mesure que la complexité de la mise en page continue de croître [5] [6].
Bien qu'on s'attende à ce que les méthodes MPC existantes développées pour la lithographie VSB puissent être facilement adaptées à MBMW, un examen rigoureux de la correction des erreurs de masque pour MBMW est nécessaire pour confirmer pleinement l'applicabilité des outils et méthodes actuels, et pour identifier toutes les modifications qui pourraient être nécessaires pour atteindre les performances CD souhaitées de MBMW. Dans cet article, nous présenterons les résultats d'une telle étude et confirmerons l'état de préparation de MPC pour la lithographie de masques multifaisceaux.
