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Document technique

Options de puce complète EUV pour la logique via et la structuration métallique

La génération de masques curvilignes à puce complète EUV offre une fenêtre de processus maximale, mais la technologie utilisée pour produire ces masques reste trop lente pour la fabrication logique à puce complète. Nous passons en revue plusieurs approches alternatives pour utiliser uniquement la technologie de lithographie inverse (ILT) qui offre une durée de vie entre 4 et plus de 100 fois plus rapide avec des métriques lithographiques très similaires.

Ce que vous allez apprendre :

  • Pourquoi la technologie de lithographie inverse (ILT) n'est pas pratique pour la génération de masques curvilignes à puce complète EUV.
  • Quelles approches alternatives existent avec un temps d'exécution plus rapide qui permet également d'atteindre une fenêtre de processus maximale.
  • Comment produire des masques de sortie curvilignes avec une durée d'exécution entre 4x et plus de 100x plus rapide.
Médecin en blouse blanche examinant la gorge d'un patient avec un dépresseur de la langue
Capacités en vedette

Fonctionnalités EUV à haute NA pour obtenir une résolution au nœud suivant

La modélisation et le multi-motifs de calibre EUV OPC offrent un support complet pour relever les défis uniques des EUV à haute NA tels que l'optique anamorphique (pour l'optimisation des sources, la modélisation, le grossissement, la MRC et l'couture de champ) et la modélisation 3D du masque pour tenir compte des effets d'ombrage pour les EUV à haute NA.

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Questions fréquemment posées à propos de Calibre EUV