Maskiprotsessi korrigeerimine (MPC) on hästi väljakujunenud kui vajalik samm maskiandmete ettevalmistamisel (MDP) elektronkiire maskide tootmiseks arenenud tehnoloogiasõlmedes alates 14 nm ja kaugemast. MPC kasutab tavaliselt e-kiire särituse esindamiseks elektronide hajumise mudelit ja protsessimudelit protsessi arendamise ja söövitamise efektide esindamiseks. Mudeleid kasutatakse paigutuselementide servade asukoha iteratiivseks simuleerimiseks ja servasegmentide liigutamiseks, et maksimeerida valmis maski servaasendi täpsust. Valikulist annuse määramist saab kasutada koos serva liikumisega, et samaaegselt maksimeerida protsessi akna ja serva asendi täpsust.
MPC metoodika mudeli kalibreerimiseks ja paigutuse korrigeerimiseks on välja töötatud ja optimeeritud vektorkujuliste kiire (VSB) maskide kirjutajate jaoks, mis esindavad tänapäeval täiustatud maskide tootmiseks kasutatavat domineerivat maskilitograafiatehnoloogiat. Mitme kiire maskide kirjutajad (MBMW) on hiljuti kasutusele võetud ja neid hakatakse nüüd kasutama mahufotomaskide tootmisel.
Need uued tööriistad põhinevad massiliselt paralleelsetel rasterskaneerimise arhitektuuridel, mis vähendavad oluliselt kirjutamisaja sõltuvust paigutuse keerukusest ning eeldatakse, et need suurendavad ja lõpuks asendavad VSB tehnoloogiat täiustatud sõlmemaskide jaoks, kuna paigutuse keerukus kasvab jätkuvalt [5] [6].
Kuigi eeldatakse, et olemasolevaid VSB litograafia jaoks välja töötatud MPC meetodeid saab hõlpsasti kohandada MBMW-ga, on vajalik MBMW maskivigade parandamise range uurimine, et täielikult kinnitada praeguste tööriistade ja meetodite rakendatavust ning tuvastada kõik muudatused, mis võivad olla vajalikud MBMW soovitud CD-jõudluse saavutamiseks. Selles artiklis tutvustame sellise uuringu tulemusi ja kinnitame MPC valmisolekut mitme kiire maski litograafiaks.
