La corrección del proceso de máscara (MPC) está bien establecida como un paso necesario en la preparación de datos de máscara (MDP) para la fabricación de máscaras de haz de electrones en nodos de tecnología avanzada de 14 nm y más allá. MPC generalmente usa un modelo de dispersión de electrones para representar la exposición al haz de electrones y un modelo de proceso para representar los efectos del proceso de desarrollo y grabado. Los modelos se utilizan para simular iterativamente la posición de los bordes de las características de diseño y mover segmentos de borde para maximizar la precisión de la posición del borde de la máscara completa. La asignación selectiva de dosis se puede utilizar junto con el movimiento del borde para maximizar simultáneamente la precisión de la ventana de proceso y la posición del borde.
La metodología MPC para la calibración del modelo y la corrección del diseño se ha desarrollado y optimizado para los escritores de máscaras de haz en forma de vector (VSB) que representan la tecnología de litografía de máscaras dominante que se usa hoy en día para la fabricación avanzada de máscaras. Los escritores de máscaras multihaz (MBMW) se han introducido recientemente y ahora están comenzando a usarse en la producción de fotomáscaras de volumen.
Estas nuevas herramientas se basan en arquitecturas de escaneo ráster masivamente paralelas que reducen significativamente la dependencia del tiempo de escritura en la complejidad del diseño y se espera que aumenten y eventualmente reemplacen la tecnología VSB por máscaras de nodos avanzadas a medida que la complejidad del diseño continúa creciendo [5] [6].
Si bien se espera que los métodos MPC existentes desarrollados para la litografía VSB se puedan adaptar fácilmente a MBMW, es necesario un examen riguroso de la corrección de errores de máscara para MBMW para confirmar completamente la aplicabilidad de las herramientas y métodos actuales, y para identificar cualquier modificación que pueda ser necesaria para lograr el rendimiento de CD deseado de MBMW. En este documento presentaremos los resultados de dicho estudio y confirmaremos la preparación de MPC para la litografía de máscaras multihaz.
