EUV, o Ultravioleta Extrema, la litografía es una tecnología que utiliza una longitud de onda de luz muy pequeña (13,5 nm) para imprimir imágenes en obleas de silicio. Es necesario porque la pequeña longitud de onda de EUV, al ser menor que el tamaño de la característica, hace que la impresión sea mucho más fácil y es esencial para lograr la resolución de patrones para nodos de tecnología de fabricación avanzada como 5nm, 3nm y más.

Calibre modela todos los efectos ópticos EUV únicos, como llamaradas, que incluyen efectos de corto y largo alcance. Calibre admite la generación de modelos dinámicos para el método de descomposición de dominio para permitir el modelado continuo del ángulo azimutal, las aberraciones, la apodización y la variación de la fuente a través de la rendija sin pérdida de precisión. Los efectos de máscara 3D, como el efecto de sombreado causado por el absorbedor de máscara grueso y la iluminación fuera del eje, que varía a lo largo de la rendija, pueden compensarse con precisión. Calibre también modela el efecto de borde negro para eliminar su impacto en las imágenes a través de OPC. Calibre también está preparado para EUV de alta NA. Calibre está equipado con nuevas características y funcionalidades para soportar ópticas anamórficas desde modelado hasta OPC.

Los SRAF son probablemente un requisito para el nodo de 5 nm y menos en la litografía EUV. Los SRAFs tienen un impacto positivo en la pendiente del registro de imágenes (ILS), lo que reduce la rugosidad del borde de línea (LER) y mejora la profundidad de enfoque (DOF). Debido a la iluminación fuera del eje de EUV y los efectos de sombreado variables a través de la división, es posible que se necesiten SRAF asimétricos en direcciones horizontal y vertical, y es posible que se requieran diferentes SRAF en diferentes ubicaciones de hendidura.

La solución SRAF de Calibre puede usar modelos EUV para la colocación de SRAF. El Calibre pxOPC puede generar SRAF asimétricos y se puede ajustar al DOF, ILS o una combinación de objetivos objetivo. Calibre nmSRAF puede generar SRAF basados en reglas utilizando resultados de PxOPC como plantilla y puede colocar SRAF asimétricamente. Calibre nmCLSRAF proporciona flexibilidad para formas SRAF de forma libre del motor de litografía inversa. Aplica plantillas secuencialmente, realiza limpieza para conflictos MRC y puede generar SRAF curvilíneo en máscaras EUV.

El EUV de alta NA (apertura numérica) es una evolución de la litografía EUV (de 0.33 NA actual a >= 0.5 NA) que se requiere para lograr la resolución de patrones para el nodo de tecnología avanzada. Calibre ya está preparado para el EUV High NA. Los productos de modelado y síntesis de máscaras de Calibre ya soportan ópticas anamórficas, desde modelado hasta OPC y MPC/MDP. Calibre EUV OPC con múltiples patrones está probado en fabricación y la optimización de máscara de fuente de calibre (SMO) también incluye funciones avanzadas para EUV de alto NA.

Calibre ofrece un diseño completo a través del flujo de fabricación para aplicaciones EUV. Las soluciones EUV de Calibre abordan los desafíos al proporcionar:

Soporte completo de modelado para EUV - La tecnología de modelado de Calibre es totalmente compatible con todos los efectos EUV, incluyendo destellos, efecto de borde negro y efectos de máscara 3D.

Conjunto de productos integral - Todos los efectos modelados se tienen en cuenta en productos de Calibre como Calibre PXsMO, Calibre PXOPc, Calibre nmOPC, Calibre nmSRAF y Calibre OPCverify, que se utilizan en la grabación en la actualidad.

Procesamiento jerárquico de datos - El flujo Calibre EUV está diseñado según la jerarquía principal mientras se utilizan modelos EUV globales completos, lo que permite un flujo OPC rápido y preciso.

Procesamiento de datos curvilíneo - Las Solutions de preparación de datos curvilíneos de Calibre se pueden habilitar en todo el flujo de cinta de máscara EUV.

Aproveche la IA para la precisión del siguiente nodo - Calibre EUV incluye técnicas avanzadas de aprendizaje automático para acelerar la síntesis de máscaras, ofreciendo mejoras significativas en el tiempo de ejecución mientras se mantiene la calidad de la litografía.