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¿Por qué Simcenter Micred T3STER?

El Simcenter Micred T3STER es un comprobador térmico transitorio no destructivo avanzado para la caracterización térmica de dispositivos semiconductores empaquetados (diodos, BJT, MOSFET de potencia, IGBT, LED de alimentación) y dispositivos multimatriz. Mide la verdadera respuesta térmica transitoria de manera más eficiente que los métodos de estado estacionario. Las medidas son de ±0,01° C con una resolución temporal de hasta 1 microsegundo. Las funciones de estructura posprocesan la respuesta en un gráfico que muestra la resistencia térmica y la capacitancia de las características del paquete a lo largo de la trayectoria del flujo de calor. El Simcenter Micred T3STER es una herramienta ideal de detección de fallos antes y después del estrés. Las medidas se pueden exportar para calibrar el modelo térmico, lo que refuerza la precisión del esfuerzo de diseño térmico.

Obtenga resultados más rápidos con una sola prueba
El Simcenter Micred T3STER es fácil de usar y rápido. Produce resultados totalmente reproducibles, por lo que cada prueba solo tiene que realizarse una vez. El Simcenter Micred T3STER prueba los circuitos integrados empaquetados utilizando únicamente conexiones eléctricas de alimentación y detección, lo que proporciona resultados rápidos y repetibles y elimina la necesidad de realizar varias pruebas en la misma pieza. Los componentes se pueden probar in situ y los resultados de las pruebas se pueden utilizar como modelo térmico compacto o para calibrar un modelo detallado.

Test todo tipo de semiconductores empaquetados
Se pueden probar prácticamente todos los tipos de semiconductores empaquetados, desde diodos de alimentación y transistores hasta circuitos integrados digitales grandes y muy complejos, incluidas las piezas que se montan en una placa e incluso se empaquetan en un producto.

En pocas palabras, se inyecta un pulso de potencia en el componente y su respuesta de temperatura se registra con mucha precisión en función del tiempo. El semiconductor en sí se utiliza tanto para alimentar la pieza como para detectar la respuesta a la temperatura mediante un parámetro sensible a la temperatura en la superficie de la matriz, como una estructura de transistores o diodos.

Acceda a un software fiable
El software incluido con el Simcenter Micred T3STER proporciona gran parte del valor de la solución. Esto se debe a que el software Simcenter Micred T3STER puede tomar el registro de temperatura en función del tiempo y convertirlo en lo que se conoce como función estructural. Las características discretas del paquete, como el troquel, se pueden detectar en este gráfico, lo que convierte al Simcenter Micred T3STER en una excelente herramienta de diagnóstico en el desarrollo de productos. El gráfico también se puede utilizar para calibrar un modelo térmico 3D detallado en Simcenter Flotherm y crear un modelo térmico de un paquete de chips que predice la temperatura en el espacio y el tiempo con una precisión de más del 99%

Logre una mayor precisión en la simulación de refrigeración electrónica con la medición y la calibración

Este documento técnico considera los factores que aumentan la precisión a la hora de modelar la disipación del calor de las trazas y las conexiones en la simulación. Ilustra la medición térmica de un módulo IGBT con el Simcenter T3STER y la calibración del modelo junto con la simulación térmica en Simcenter Flotherm.

Capacidades del Simcenter T3STER

Pruebas térmicas

La familia de soluciones de hardware de caracterización térmica ofrece a los proveedores de componentes y sistemas la capacidad de probar, medir y caracterizar térmicamente de manera precisa y eficiente paquetes de circuitos integrados de semiconductores, LED individuales y en matriz, paquetes de matrices apiladas y múltiples, módulos de electrónica de potencia, propiedades del material de interfaz térmica (TIM) y sistemas electrónicos completos.

Nuestras soluciones de hardware miden directamente las curvas reales de calentamiento o refrigeración de los dispositivos semiconductores empaquetados de forma continua y en tiempo real, en lugar de componerlas artificialmente a partir de los resultados de varias pruebas individuales. Medir la verdadera respuesta térmica transitoria de esta manera es mucho más eficiente y preciso, lo que permite obtener métricas térmicas más precisas que los métodos de estado estacionario. Las mediciones solo tienen que realizarse una vez por muestra, en lugar de repetirse y tomar un promedio como con los métodos de estado estacionario.

Más información sobre las pruebas térmicas

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Imagen del hardware de Simcenter Micred Powertester
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Caracterización térmica de componentes electrónicos complejos

Lea este artículo técnico y conozca el papel de la medición de transitorios térmicos en la caracterización del comportamiento térmico de los semiconductores.

Un chip de procesamiento conectado a una placa de circuito