Skip to main content
Αυτή η σελίδα εμφανίζεται με χρήση αυτόματης μετάφρασης. Προβολή στα Αγγλικά;
Τεχνικό έγγραφο

Επιλογές πλήρους τσιπ EUV για λογική μέσω και μεταλλικής σχεδίασης

Η δημιουργία καμπυλόγραμμων μάσκας EUV με πλήρες τσιπ προσφέρει μέγιστο παράθυρο διαδικασίας, αλλά η τεχνολογία που χρησιμοποιείται για την παραγωγή αυτών των μάσκων παραμένει πολύ αργή για κατασκευή λογικής πλήρους τσιπ. Εξετάζουμε διάφορες εναλλακτικές προσεγγίσεις για τη χρήση μόνο τεχνολογίας αντίστροφης λιθογραφίας (ILT) που προσφέρουν από 4x έως πάνω από 100x ταχύτερο χρόνο εκτέλεσης με πολύ παρόμοιες λιθογραφικές μετρήσεις.

Τι θα μάθετε:

  • Γιατί η τεχνολογία αντίστροφης λιθογραφίας (ILT) δεν είναι πρακτική για τη δημιουργία καμπυλόγραμμης μάσκας EUV πλήρους τσιπ.
  • Ποιες εναλλακτικές προσεγγίσεις υπάρχουν με ταχύτερο χρόνο εκτέλεσης που επιτυγχάνουν επίσης το μέγιστο παράθυρο διαδικασίας.
  • Πώς να δημιουργήσετε καμπύλες μάσκες εξόδου με ταχύτερο χρόνο εκτέλεσης μεταξύ 4x και πάνω από 100x.
Γιατρός με λευκό παλτό εξετάζει το λαιμό του ασθενούς με καταστολέα γλώσσας
Διακεκριμένες δυνατότητες

Χαρακτηριστικά EUV υψηλού NA για την επίτευξη ανάλυσης επόμενου κόμβου

Η μοντελοποίηση OPC Calibre EUV και η πολλαπλή σχεδίαση προσφέρουν ολοκληρωμένη υποστήριξη για την αντιμετώπιση των μοναδικών προκλήσεων του EUV υψηλού DNA, όπως τα αναμορφικά οπτικά (για βελτιστοποίηση πηγής, μοντελοποίηση, μεγέθυνση, MRC και ραφή πεδίου) και η τρισδιάστατη μοντελοποίηση μάσκας για τα εφέ σκίασης για EUV υψηλού NA.

Εξερευνήστε πόρους και παρόμοια προϊόντα

Συχνές ερωτήσεις για το Calibre EUV