Simcenter Micred T3STER ist ein fortschrittlicher zerstörungsfreier transienter Temperaturtester für die thermische Charakterisierung von gehäusten Halbleiterbauelementen (Dioden, BJTs, Leistungs-MOSFETs, IGBTs, Leistungs-LEDs) und Multi-Die-Geräten. Es misst das wahre thermische Einschwingverhalten effizienter als Steady-State-Methoden. Die Messungen erfolgen bei ±0,01 °C mit einer Zeitauflösung von bis zu 1 Mikrosekunde. Strukturfunktionen verarbeiten die Antwort in ein Diagramm, das den thermischen Widerstand und die Kapazität der Gehäusemerkmale entlang des Wärmeflusspfads zeigt. Simcenter Micred T3STER ist ein ideales Tool zur Erkennung von Ausfällen vor und nach Stress. Die Messungen können für die Kalibrierung des thermischen Modells exportiert werden, was die Genauigkeit der thermischen Planung untermauert.
Ermöglichen Sie schnellere Ergebnisse mit nur einem Test
Simcenter Micred T3STER ist einfach zu bedienen und schnell. Es liefert vollständig reproduzierbare Ergebnisse, sodass jeder Test nur einmal durchgeführt werden muss. Simcenter Micred T3STER testet verpackte ICs, wobei nur elektrische Anschlüsse für Stromversorgung und Abtastung verwendet werden, was schnelle, wiederholbare Ergebnisse liefert und mehrere Tests am gleichen Teil überflüssig macht. Komponenten können vor Ort getestet werden und die Testergebnisse können als kompaktes thermisches Modell oder zur Kalibrierung eines detaillierten Modells verwendet werden.
Test Sie alle Arten von verpackten Halbleitern
Praktisch alle Arten von verpackten Halbleitern können getestet werden, von Leistungsdioden und Transistoren bis hin zu großen und hochkomplexen digitalen ICs, einschließlich Teilen, die auf einer Platine montiert und sogar in ein Produkt verpackt sind.
Einfach ausgedrückt, ein Leistungsimpuls wird in das Bauteil eingespeist und sein Temperaturverhalten wird sehr genau im Zeitverlauf aufgezeichnet. Der Halbleiter selbst wird sowohl zur Stromversorgung des Bauteils als auch zur Erfassung des Temperaturverhaltens mithilfe eines temperaturempfindlichen Parameters auf der Chip-Oberfläche wie einer Transistor- oder Diodenstruktur verwendet.
Greifen Sie auf zuverlässige Software zu
Die mit Simcenter Micred T3STER gelieferte Software macht einen Großteil des Werts der Lösung aus. Das liegt daran, dass die Simcenter Micred T3STER-Software die Temperatur-Zeit-Spur nehmen und sie in eine sogenannte Strukturfunktion umwandeln kann. Einzelne Merkmale des Pakets, wie zum Beispiel die Attach, können in diesem Diagramm erkannt werden, was Simcenter Micred T3STER zu einem ausgezeichneten Diagnosetool in der Produktentwicklung macht. Das Diagramm kann auch verwendet werden, um ein detailliertes 3D-thermisches Modell in Simcenter Flotherm zu kalibrieren und so ein thermisches Modell eines Chippakets zu erstellen, das die Temperatur sowohl in Raum als auch in Zeit mit einer Genauigkeit von über 99% vorhersagt.
Erzielen Sie eine höhere Genauigkeit bei der Simulation der Elektronikkühlung durch Messung und Kalibrierung
Dieses Whitepaper berücksichtigt Faktoren für eine höhere Genauigkeit bei der Modellierung der Leiterbahn- und Verbindungswärmeableitung innerhalb der Simulation. Es veranschaulicht die thermische Messung eines IGBT-Moduls mit Simcenter T3STER und die Modellkalibrierung in Verbindung mit der thermischen Simulation in Simcenter Flotherm.
