Die Generierung krummliniger Maskenformen mit optischer Näherungskorrektur (OPC) anstelle von reinen rechteckigen Formen wird als Methode zur Verbesserung der Leistung der Wafer-Lithografie immer realistischer. Der Hauptvorteil der Verwendung krummliniger Formen ist ein verbessertes Prozessfenster, was bedeutet, dass das Waferbild während der Belichtung weniger empfindlich auf Dosis- und Fokusbedingungen reagiert. Mit der erhöhten Rechenleistung der neuesten Hochleistungscluster und der Verfügbarkeit von Mehrstrahl-Maskenschreibern (MBMW) können diese Vorteile der Wafer-Lithografie an Technologieknoten realisiert werden, die derzeit entwickelt werden.
Eine sehr praktische Herausforderung bei der Produktion von Masken mit krummlinigen Formen ist die Verfügbarkeit zuverlässiger Maskenregelprüfungen (MRC). Die OPC-Engine muss nicht nur Formen generieren, die herstellbar sind, sondern die Maskenwerkstatt benötigt auch eine Methode, um zu überprüfen, ob die eingehenden Maskendaten herstellbar sind. Für krummlinige Maskenformen ist das schwieriger als für rechteckige Maskenformen, da einfache Breiten- und Leerzeichen nicht mehr ausreichen.
In diesem Artikel erörtern wir einen umfassenden Satz von MRC-Grenzwerten und demonstrieren die Effektivität einer MRC-Engine, die mit krummlinigen Eingabedaten arbeitet. Zu den hier verwendeten Rules gehören die Mindestbreite der exponierten Merkmale, der Mindestabstand zwischen exponierten Merkmalen, die Mindestkrümmung von konvexen und konkaven Formen sowie die Mindestfläche der exponierten Merkmale.
