Maskeproceskorrektion (MPC) er veletableret som et nødvendigt trin i maskedataforberedelse (MDP) til fremstilling af elektronstrålemasker ved avancerede teknologiknuder fra 14nm og derover. MPC bruger typisk en elektronspredningsmodel til at repræsentere e-stråleeksponering og en procesmodel til at repræsentere udvikling og ætsning af proceseffekter. Modellerne bruges til iterativt at simulere placeringen af layoutfunktionskanter og flytte kantsegmenter for at maksimere kantpositionsnøjagtigheden for den færdige maske. Selektiv dosistildeling kan bruges sammen med kantbevægelse for samtidig at maksimere procesvinduet og kantpositionens nøjagtighed.
MPC-metode til modelkalibrering og layoutkorrektion er blevet udviklet og optimeret til de vektorformede stråle (VSB) maskeskrivere, der repræsenterer den dominerende maskelitografiteknologi, der bruges i dag til avanceret maskefremstilling. Multi-beam mask writers (MBMW) er for nylig blevet introduceret og begynder nu at blive brugt i volumenfotomaskeproduktion.
Disse nye værktøjer er baseret på massivt parallelle rasterscanningsarkitekturer, der markant reducerer afhængigheden af skrivetid af layoutkompleksitet og forventes at øge og til sidst erstatte VSB-teknologi til avancerede nodemasker, efterhånden som layoutkompleksiteten fortsætter med at vokse [5] [6].
Selvom det forventes, at eksisterende MPC-metoder udviklet til VSB-litografi let kan tilpasses MBMW, er en grundig undersøgelse af maskefejlkorrektion for MBMW nødvendig for fuldt ud at bekræfte anvendeligheden af nuværende værktøjer og metoder og for at identificere eventuelle ændringer, der kan være nødvendige for at opnå den ønskede CD-ydelse af MBMW. I dette papir vil vi præsentere resultaterne af en sådan undersøgelse og bekræfte MPC's beredskab til flerstrålemaske-litografi.
