I det sidste årti har fotonikteknologi været en ny teknologi til optisk telekommunikation og optiske sammenkoblinger inden for mikroelektronik. Som et resultat er en stor mangfoldighed af fotonikdesignmetoder fusioneret med meget udfordrende skalaer og former. Fremstilling af sådanne kurvede og kritiske fotoniske former kræver avancerede opløsningsforbedringsteknikker (RET), herunder inverse litografiteknikker (ILT) med 193 nm nedsænkningslitografi. I dette papir undersøger vi produktionsudfordringerne for flere fotonik-enheder ved hjælp af avancerede ILT-løsninger og virkningen af SRAF-indsættelse på levering af god litokvalitet, herunder kantplaceringsfejl (EPE), PVBand og linjekantruhed (LER). Vi vil demonstrere, hvordan vores Calibre ILT-løsninger muliggør fremstilling af de mest udfordrende fotonik-designs.
