Generering af krumlinede maskeformer i optisk nærhedskorrektion (OPC) i stedet for rene rektangulære former bliver mere og mere realistisk som en metode til forbedring af wafer-litografiens ydeevne. Den største fordel ved at bruge krumlinede former er et forbedret procesvindue, hvilket betyder, at wafer-billedet er mindre følsomt over for dosis- og fokusforhold under eksponeringen. Med den øgede beregningskraft i de nyeste højtydende klynger og tilgængeligheden af multi-beam mask writers (MBMW) kan disse waferlitografi-fordele realiseres ved teknologiknuder, der i øjeblikket udvikles.
En meget praktisk udfordring for at sætte masker med krumlinede former i produktionen er tilgængeligheden af pålidelige maskeregelkontroller (MRC). OPC-motoren skal ikke kun generere former, der kan fremstilles, men maskebutikken har også brug for en metode til at verificere, at indgående maskedata kan fremstilles. For krumlinede maskeformer er dette mere udfordrende end for rektangulære maskeformer, da enkle bredde- og mellemrumskontroller ikke længere er tilstrækkelige.
I dette papir diskuterer vi et omfattende sæt MRC-grænser og demonstrerer effektiviteten af en MRC-motor, der fungerer på krumlinede inputdata. Rules, der bruges her, inkluderer mindste bredde af eksponerede funktioner, minimum mellemrum mellem eksponerede funktioner, minimum krumning af konvekse og konkave former, samt minimumsareal af eksponerede træk.
