Simcenter Micred T3STER je pokročilý nedestruktivní přechodový termický tester pro tepelnou charakterizaci zabalených polovodičových součástek (diody, BJT, výkonové MOSFET, IGBT, výkonové LED diody) a multi-die zařízení. Měří skutečnou tepelnou přechodnou odezvu efektivněji než metody v ustáleném stavu. Měření jsou do ± 0,01° C s časovým rozlišením až 1 mikrosekundy. Strukturní funkce následně zpracovávají odezvu do grafu, který ukazuje tepelný odpor a kapacitu prvků balíku podél cesty tepelného toku. Simcenter Micred T3STER je ideální nástroj pro detekci poruch před a po stresu. Měření lze exportovat pro kalibraci tepelného modelu, což podporuje přesnost tepelného návrhu.
Umožněte rychlejší výsledky pouhým jedním testem
Simcenter Micred T3STER je snadno ovladatelný a rychlý. Poskytuje plně reprodukovatelné výsledky, takže každý test musí být proveden pouze jednou. Simcenter Micred T3STER testuje integrované integrované obvody s použitím pouze elektrických připojení pro napájení a snímání, čímž poskytuje rychlé, opakovatelné výsledky a eliminuje potřebu více testů na stejné součásti. Komponenty lze testovat in situ a výsledky testů lze použít jako kompaktní tepelný model nebo pro kalibraci podrobného modelu.
Testujte všechny typy zabalených polovodičů
Lze testovat prakticky všechny typy zabalených polovodičů, od výkonových diod a tranzistorů až po velké a vysoce složité digitální integrované obvody, včetně dílů, které jsou namontovány na desce, a dokonce zabaleny do produktu.
Jednoduše řečeno, do komponenty je vstřikován výkonový impuls a jeho teplotní odezva je zaznamenána velmi přesně v čase. Samotný polovodič se používá jak k napájení součásti, tak ke snímání teplotní odezvy pomocí parametru citlivého na teplotu na povrchu matrice, jako je tranzistor nebo diodová struktura.
Přístup ke spolehlivému softwaru
Software dodávaný se Simcenter Micred T3STER poskytuje velkou hodnotu řešení. Je to proto, že software Simcenter Micred T3STER dokáže zachytit trasu teploty a času a převést ji na tzv. strukturní funkci. Na tomto grafu lze detekovat diskrétní vlastnosti obalu, jako je připojení matrice, což činí Simcenter Micred T3STER vynikajícím diagnostickým nástrojem při vývoji produktů. Graf může být také použit ke kalibraci podrobného 3D tepelného modelu v Simcenter Flotherm a vytvoření tepelného modelu čipového balíčku, který předpovídá teplotu v prostoru i čase s přesností 99+%.
Dosáhněte vyšší přesnosti v simulaci chlazení elektroniky pomocí měření a kalibrace
Tato bílá kniha zohledňuje faktory pro vyšší přesnost modelování trasování a rozptylu tepla připojení v rámci simulace. Ilustruje tepelné měření modulu IGBT pomocí Simcenter T3STER a kalibraci modelu ve spojení s tepelnou simulací v Simcenter Flotherm.
