Skip to main content
Тази страница се показва с помощта на автоматизиран превод. Вместо това вижте на английски?

Защо Симцентър Микред Т3СТЕР?

Simcenter Micred T3STER е усъвършенстван неразрушителен преходен термичен тестер за термична характеристика на пакетирани полупроводникови устройства (диоди, BJT, мощни MOSFET, IGBT, захранващи светодиоди) и мулти-матрични устройства. Той измерва истинската термична преходна реакция по-ефективно от методите в стационарно състояние. Измерванията са до ± 0,01° C с времева разделителна способност до 1 микросекунда. Структурните функции след обработката на реакцията в график, който показва топлинното съпротивление и капацитета на характеристиките на пакета по пътя на топлинния поток. Simcenter Micred T3STER е идеален инструмент за откриване на неизправности преди и след стрес. Измерванията могат да бъдат експортирани за калибриране на термичния модел, като се подкрепя точността на термичното проектиране.

Активирайте по-бързи резултати само с един тестSimcenter Micred T3STER е лесен за използване и бърз. Той дава напълно възпроизводими резултати, така че всяко изпитване трябва да се извърши само веднъж. Simcenter Micred T3STER тества пакетирани ИС, използвайки само електрически връзки за захранване и сензори, давайки бързи, повтарящи се резултати и елиминирайки необходимостта от множество тестове на една и съща част. Компонентите могат да бъдат тествани на място и резултатите от теста могат да се използват като компактен термичен модел или за калибриране на подробен модел.

Тествайте всички видове пакетирани полупроводнициПрактически всички видове пакетирани полупроводници могат да бъдат тествани, от силови диоди и транзистори до големи и силно сложни цифрови ИС, включително части, които са монтирани на дъска и дори опаковани в продукт.

Просто казано, в компонента се инжектира мощен импулс и температурната му реакция се записва много точно спрямо времето. Самият полупроводник се използва както за захранване на частта, така и за усещане на температурната реакция, използвайки температурно чувствителен параметър върху повърхността на матрицата, като транзистор или диодна структура.

Достъп до надежден софтуерСофтуерът, предоставен с Simcenter Micred T3STER, осигурява голяма част от стойността на решението. Това е така, защото софтуерът Simcenter Micred T3STER може да измерва температурата спрямо времето и да я преобразува в това, което е известно като структурна функция. Дискретни характеристики на опаковката, като приставката за матрица, могат да бъдат открити в този график, което прави Simcenter Micred T3STER отличен диагностичен инструмент при разработването на продукти. Сюжетът може да се използва и за калибриране на подробен 3D термичен модел в Simcenter Flotherm, създавайки термичен модел на пакет с чипове, който прогнозира температурата както в пространството, така и във времето с точност 99+%.

Постигнете по-висока точност при симулацията на охлаждане на електроника с измерване и калибриране

Тази бяла книга взема предвид фактори за по-висока точност за моделиране на проследяване и разсейване на топлината на връзката в рамките на симулацията. Той илюстрира термично измерване на модул IGBT с помощта на Simcenter T3STER и калибриране на модела във връзка с термична симулация в Simcenter Flotherm.

Възможности на Simcenter T3STER

Термично изпитване

Семейството хардуерни решения за термична характеристика предоставя на доставчиците на компоненти и системи възможността точно и ефективно да тестват, измерват и термично характеризират пакети от полупроводникови интегрални схеми, единични и масивни светодиоди, подредени и многофункционални пакети, модули за силова електроника, свойства на материала за термичен интерфейс (TIM) и цялостни електронни системи.

Нашите хардуерни решения директно измерват действителните криви на отопление или охлаждане на пакетирани полупроводникови устройства непрекъснато и в реално време, вместо изкуствено да съставят това от резултатите от няколко индивидуални теста. Измерването на истинската термична преходна реакция по този начин е далеч по-ефективно и точно, което води до по-точни термични показатели от методите в стационарно състояние. Измерванията трябва да се извършват само веднъж на проба, а не да се повтарят и да се вземат средни стойности, както при методите в стационарно състояние.

Прочетете повече за термичните тестове

Гледайте уебинар

A visual of the Simcenter Micred Powertester hardware.
Бяла книга

Термична характеристика на сложна електроника

Прочетете тази бяла книга и научете за ролята на термично преходното измерване за характеризиране на термичното поведение на полупроводниците.

Чип за обработка, свързан към кръглена дъска