Корекцията на процеса на маски (MPC) е добре установена като необходима стъпка в подготовката на данните за маски (MDP) за производство на маски с електронен лъч в модерни технологични възли от 14nm и след това. MPC обикновено използва модел на разсейване на електрони, за да представи експозицията на електронни лъчи и процесен модел за представяне на ефектите на процеса на развитие и ецване. Моделите се използват за итеративно симулиране на позицията на ръбовете на оформлението и преместване на сегментите на ръбовете, за да се увеличи максимално точността на позицията на ръба на завършената маска. Селективното определяне на дозата може да се използва заедно с движението на ръба, за да се увеличи едновременно максимално точността на прозореца на процеса и позицията на ръба.
MPC методологията за калибриране на модела и корекция на оформлението е разработена и оптимизирана за писателите на маски с векторна форма на лъч (VSB), които представляват доминиращата технология за литография на маски, която се използва днес за усъвършенствано производство на маски. Наскоро бяха въведени многолъчеви писатели на маски (MBMW) и сега започват да се използват при производството на обемни фотомаски.
Тези нови инструменти се основават на масивно паралелни архитектури за растерно сканиране, които значително намаляват зависимостта на времето за запис от сложността на оформлението и се очаква да увеличат и в крайна сметка да заменят VSB технологията за усъвършенствани маски на възли, тъй като сложността на оформлението продължава да расте [5] [6].
Въпреки че се очаква съществуващите MPC методи, разработени за литография на VSB, могат лесно да бъдат адаптирани към MBMW, е необходимо стриктно изследване на корекцията на грешките в маската за MBMW, за да се потвърди напълно приложимостта на текущите инструменти и методи и да се идентифицират всички модификации, които могат да бъдат необходими за постигане на желаната CD производителност на MBMW. В тази статия ще представим резултатите от такова проучване и ще потвърдим готовността на MPC за литография с многолъчеви маски.




