През последното десетилетие фотоничната технология е нововъзникваща технология за оптични телекомуникации и оптични взаимовръзки в микроелектрониката. В резултат на това голямо разнообразие от методологии за проектиране на фотоника се сля с много предизвикателни мащаби и форми. Производството на такива криви и критични фотонични форми изисква усъвършенствани техники за подобряване на разделителната способност (RET), включително техники за обратна литография (ILT) със 193 nm потапяща литография. В тази статия ние изследваме производствените предизвикателства на няколко фотонични устройства, използващи усъвършенствани ILT решения, и въздействието на вмъкването на SRAF върху осигуряването на добро качество на лито, включително грешка в поставянето на ръбовете (EPE), PVBand и грапавост на ръбовете на линията (LER). Ще демонстрираме как нашите решения Calibre ILT позволяват производството на най-предизвикателните фотонични дизайни.
