Skip to main content
Тази страница се показва с помощта на автоматизиран превод. Вместо това вижте на английски?
Техническа хартия

EUV опции с пълен чип за логическо и метално моделиране

Генерирането на криволинейни маски с пълен чип на EUV предлага максимален прозорец на процеса, но технологията, използвана за производството на тези маски, остава твърде бавна за логично производство с пълен чип. Преглеждаме няколко алтернативни подхода за използване само на технология за обратна литография (ILT), които предлагат между 4 и над 100 пъти по-бързо време на изпълнение с много сходни литографски показатели.

Какво ще научите:

  • Защо технологията за обратна литография (ILT) не е практична за генериране на криволинейни маски с пълен чип на EUV.
  • Какви алтернативни подходи съществуват с по-бързо време на изпълнение, които също постигат максимален прозорец на процеса.
  • Как да произвеждаме криволинейни изходни маски с между 4x и над 100x по-бързо време на изпълнение.
Лекар с бяло палто изследва гърлото на пациента с депресор на езика
Представени възможности

Високо-NA EUV функции за постигане на разделителна способност на следващия възел

Calibre EUV OPC моделирането и мултимоделирането предлагат цялостна подкрепа за справяне с уникалните предизвикателства на EUV с висока RNA, като анаморфна оптика (за оптимизация на източника, моделиране, увеличение, MRC и полеви шевове) и маскиране на 3D моделиране, за да се отчетат ефектите на засенчване за EUV с висока RNA.

Разгледайте ресурси и свързани продукти

Calibre EUV често задавани въпроси