Генерирането на криволинейни маски с пълен чип на EUV предлага максимален прозорец на процеса, но технологията, използвана за производството на тези маски, остава твърде бавна за логично производство с пълен чип. Преглеждаме няколко алтернативни подхода за използване само на технология за обратна литография (ILT), които предлагат между 4 и над 100 пъти по-бързо време на изпълнение с много сходни литографски показатели.
Какво ще научите:
- Защо технологията за обратна литография (ILT) не е практична за генериране на криволинейни маски с пълен чип на EUV.
- Какви алтернативни подходи съществуват с по-бързо време на изпълнение, които също постигат максимален прозорец на процеса.
- Как да произвеждаме криволинейни изходни маски с между 4x и над 100x по-бързо време на изпълнение.




